Пошуковий запит: (<.>U=З852.2<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
РА412172
Попова, М. В.
Разработка и исследование германиевых инжекционно-полевых триодов (N-триодов) [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 049 / М. В. Попова ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1970. - 15 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Академия наук СССР; Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Ленинград)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
Р116276
Алиярова, З. А.
Запоминающие устройства с применением диодов на основе сложных полупроводников [Текст] / З. А. Алиярова, Г. А. Аббасов. - Баку : [б. и.], 1974. - 11 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковых приборов с управляемой памятью. №25). - Библиогр.: с. 6. - 100 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Аббасов, Г. А.; Академия наук Азербайджанской ССРИнститут физики (Баку). Лаборатория полупроводниковых приборов с управляемой памятью
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 3. |
ДС55919сл.
Костенко, Виталий Леонидович.
Адаптивно регулируемые комбинированные твердотельные структуры и устройства функциональной электроники на их основе [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Виталий Леонидович ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1977. - 299 л. с прил.
Для сл. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
РА284836сл
Сушанский, Вадим Валерьевич.
Разработка СВЧ диода с заданной нелинейностью вольт-амперной характеристики [Текст] : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.01 / Сушанский Вадим Валерьевич ; Белорусский ун-т информатики и радиоэлектроники. - Минск, 1994. - 13 с.
Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Белорусский университет информатики и радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
РА297247сл
 Костенко, Віталій Леонідович.
Адаптивно-регульовані комбіновані твердотільні структури та пристрої функціональної електроніки на їх основі [Текст] : автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Віталій Леонідович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 42 с.
Для служб. користуванняРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
MFI 3637/1-2
Hofer, Patrick.
Parallelschaltung von Leistungshalbleitern mit steuerseitig geregelter Stromverteilung [Text] : Abh. / P. Hofer ; Eidgenössische Technische Hochschule Zürich. - Zürich : [б.в.], 1997. - 181 S.:Fig. - (Diss ETH ; 12151)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich
Видання зберігається у :
|
| 7. |
ДС55680сл
Костенко, Виталий Леонидович.
Адаптивно регулируемые комбинированные твердотельные структуры и устройства функциональной электроники на их основе [Текст] : дис... д- ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Виталий Леонидович ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 306 л.
Для сл. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
РА301311
Аркуша, Юрій Васильович.
Роль контактів у підвищенні ефективності граничних частот генерації діодів Ганна мм та субмм діапазонів [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.03 / Аркуша Юрій Васильович ; Харківський держ. ун-т. - Х., 1998. - 21 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Харківський державний університет; Харківський державний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
ДС59048
Аркуша, Юрий Васильевич.
Роль контактов в повышении эффективности и предельных частот генерации диодов Ганна мм и субмм диапазонов [Текст] : дис... д-ра мед. наук : 01.04.03 / Аркуша Юрий Васильевич ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1998. - 301 л. - л. 282-301Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Харьковский гос. университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
ІВ194912
Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices [Text] : some physico-technological aspects / A. Belyaev [a. o.] ; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine, Slovak univ. of technology. - Kyiv : Інтерпрес ЛТД, 1998. - 127 p.: ill. - Бібліогр.: p.117-127. - ISBN 966-501-024-7
Заміна описуРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Belyaev, A. E.; Breza, J.; Venger, E,F.; Vesely, M.; Yu, I...; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine; Slovak univ. of technology
Видання зберігається у :
|
| 11. |
MFI4190/1-2
Hamamoto, Kiichi.
Active multi-mode-interferometer laser diodes and semiconductor optical amplifiers [Text] : diss. / K. Hamamoto ; Swiss Federal Institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 160 p.: fig. - (ETH-DISS ; 13822)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal Institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 12. |
ДС66924
Демич, Микола Васильович.
Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на базі монокристалічного телуриду кадмію [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Демич Микола Васильович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2000. - 126 арк. - арк. 117-126Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА310894
Демич, Микола Васильович.
Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на базі монокристалічного телуриду кадмію [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Демич Микола Васильович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2000. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
ДС77285
Ткачук, Андрій Іванович.
Рідинна епітаксія твердих розчинів сполук A4B6 для діодів Шотткі [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ткачук Андрій Іванович ; Кіровоградський держ. педагогічний ун-т ім. Володимира Винниченка. - Кіровоград, 2002. - 170 арк.: рис., табл. - арк. 157-168Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Кіровоградський державний педагогічний університет імені Володимира Винниченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
ВА656928
Мамедов, Расим Кара оглы.
Контакты металл-полупроводник с электрическим полем пятен [Текст] / Р. К. Мамедов. - Баку : Бакгосуниверситет, 2003. - 231 с.: рис. - Библиогр.: с. 208-230Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
РА323058
Ткачук, Андрій Іванович.
Рідинна епітаксія твердих розчинів сполук A4B6 для діодів Шотткі [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ткачук Андрій Іванович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2003. - 19 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
РА338249
Салохина, Маргарита Марковна.
Исследование эффекта понижения высоты барьера в поверхностно-барьерных детекторах ядерных излучений на основе структуры золото-кремний [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Салохина Маргарита Марковна ; РАН, Институт ядерных исследований. - М., 2005. - 27 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Институт ядерных исследований (Москва); РАН; Институт ядерных исследований (Москва)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 18. |
ДС102876
Боцула, Олег Викторович.
Неустойчивости тока в GaAs с ударной ионизацией и туннельными эффектами [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Боцула Олег Викторович ; Харьковский национальный ун-т им. В.Н.Каразина. - Х., 2007. - 185 л.: рис. - Библиогр.: л. 172-184Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
ІВ209499
Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures [Text] / E. D. Atanassova [a.o.] ; Nat. Acad. of Sciences of Ukraine, V.Lashkaryov Inst. of semiconductor physics, Bulgaian Acad. of Sciences, Inst. of solid state physics. - Kharkiv : NTS "Institute for single crystals", 2007. - 215 p.: fig. - Бібліогр.: p. 179-212. - ISBN 966-02-2555-5. - ISBN 978-966-02-4268-5Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Atanassova, E. D.; Belyaev, A. E.; Konakova, R. V.; Lytvyn, P. M.; Milemim, V. V.; Mitin, V. F.; Shynkarenko, V. V.; National academy of sciences of Ukraine; V. Lashkaryov Institute of semiconductor physics (Kyiv); Bulgaian Academy of Sciences; Institute of solid state physics
Видання зберігається у :
|
| 20. |
ІВ209139
Riegel, Nina.
Advanced device architectures in solution-processed multi-layer OLEDs [Text] : diss. / N. Riegel ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 2007. - 309 S.: Fig. - Бібліогр.: S. 302-307Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.
Видання зберігається у :
|
| | |
Простий
Розширений
Книжкові видання та компакт-диски
Пам`ятка користувача