Пошуковий запит: (<.>U=З843.332$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14
|
1. | РА340947 Доросинец, Владимир Адамович. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Белорусский гос. университет имени В. И. Ленина
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
2. | РА280777сл Шутов, Станислав Викторович. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 22 с. - Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский индустриальный институт
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
3. | РА313246 Сєліверстова, Світлана Ростиславівна. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. | РА347090 Чернюк, Олександр Сергійович. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Львівський національний ун-т ім. Івана Франка. - Л., 2006. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Львівський національний університет імені Івана Франка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. | РА363778 Хозя, Павло Олександрович. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Хозя Павло Олександрович ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2009. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
6. | РА396148 Лозінський, Володимир Борисович. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
7. | РА399149 Фомовський, Фелікс Володимирович. Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 20 с. : рис., табл.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. | РА421863 Притчин, Сергій Емільович. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Харківський національний університет радіоелектроніки
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. | ДС40409сл Шутов, Станислав Викторович. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 136 с. - Библиогр.:с.126-136 Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский индустриальный институт
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. | ДС69492 Селиверстова, Светлана Ростиславовна. Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис. - Библиогр.: л. 131-140Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский государственный технический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. | ДС99615 Чернюк, Олександр Сергійович. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Житомирський держ. ун-т ім. Івана Франка. - Житомир, 2006. - 193 арк.: рис., табл. - арк. 178-193Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Житомирський державний університет імені Івана Франка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. | ДС145894 Хозя, Павел Александрович. Разработка теплового узла для выращивания монокристаллов GaAs по LEC технологии с пониженным содержанием структурных дефектов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Хозя Павел Александрович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2008. - 135 л. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 121-129.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
13. | ДС152191 Лозінський, Володимир Борисович. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 125-140.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. | ДС144005 Фомовський, Фелікс Володимирович. Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 131 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 113-128.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського
Видання зберігається у :
Основний фонд
|