Пошуковий запит: (<.>U=З843.312$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 80
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ІР7405 Anokhin, Igor Evgenovych. Coordinate determination of high energy charged particles by silicon strip detectors [Text] / I. E. Anokhin, O. S. Zinets. - Kyiv : [б.в.], 2002. - 12 p.: fig. - (Prepr. / National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research ; 02-2). - Бібліогр.: P.12.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Zinets, Oleg Sergijovych; National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research
Видання зберігається у :
|
2. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ІР5831 Two-wavelength laser-induced dissociation of silicon tetrafluoride with CW CO2-lasers [Text] / M. Ehbrecht [a.o.]. - Moscow : [б.в.], 1995. - 27 p.: fig. - (Prepr. / Russian academy of sci. General physics inst. ; 24)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Ehbrecht, M.; Huisken, F.; Karpov, N.A.; Luk'ashko, A.P.; Panasenko, D.Yu.; Russian academy of sci. General physics inst.
Видання зберігається у :
|
3. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС92913 Єгоров, Сергій Геннадійович. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк. - арк. 106-118Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА342431 Єгоров, Сергій Геннадійович. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 22 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | Р92167 Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ [Текст] / А. Л. Суворов [и др.]. - М. : [б.и.], 2000. - 35 с.: рис. - (Препр. / Институт теоретической и экспериментальной физики ; 27-00). - Библиогр.: c.32-35Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Суворов, А. Л.; Чаплыгин, Ю. А.; Тимошенков, С. П.; Прокопьев, Е. П.; Графутин, В. И.; Институт теоретической и экспериментальной физики
Видання зберігається у :
|
6. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА366023 Банзак, Оксана Вікторівна. Методи та засоби радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових матеріалів та приладів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Банзак Оксана Вікторівна ; Одеський національний політехнічний ун-т. - О., 2009. - 22 с.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одеський національний політехнічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
7. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС145278 Банзак, Оксана Викторовна. Методы и средства радиационной модификации свойств полупроводниковых материалов и приборов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Банзак Оксана Викторовна ; Одес. нац. политехн. ун-т. - Одесса, 2009. - 180, [4] л. : табл., рис. - Бібліогр.: арк. 170-179.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Одесский национальный политехнический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА343811 Братусь, Віктор Якович. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Братусь Віктор Якович ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2006. - 28 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС93633 Братусь, Віктор Якович. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Братусь Віктор Якович ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2006. - 288 арк.: рис. - арк. 245-288Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА332035 Власкіна, Світлана Іванівна. Монокристалічні плівки SiC на чужорідних підкладках, їх структурні та електро-оптичні властивості [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Власкіна Світлана Іванівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2004. - 31 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС88121 Власкина, Светлана Ивановна. Монокристаллические пленки SiC на инородных подложках, их структурные и электро-оптические свойства [Текст] : дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Власкина Светлана Ивановна ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - К., 2004. - 318 л.: ил. - Библиогр.: л. 298-318Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ВА693039 Герасименко, Николай Николаевич. Кремний - материал наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для студ. вузов, обучающихся по направлениям подгот. 210600 "Нанотехнология" и 210100 "Электроника и микроэлектроника" / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с.: рис. - (Мир материалов и технологий ; 6-12). - Библиогр.: в конце глав. - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Пархоменко, Юрий Николаевич
Видання зберігається у :
Універсальний підсобний фонд
|
13. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС112703 Голота, Віктор Іванович. Автоемісійні мікрокатоди з елементами керування на структурах "кремній-на-ізоляторі" [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Голота Віктор Іванович ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2009. - 193 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 179-193.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: "Львівська політехніка", національний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА363745 Голота, Віктор Іванович. Автоемісійні мікрокатоди з елементами керування на структурах "кремній-на-ізоляторі" [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Голота Віктор Іванович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2009. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
15. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ВА679118 Гроза, Алла Аркадіївна. Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію [Текст] / А. А. Гроза [и др.] ; НАН України, Ін-т ядер. дослідж. - К. : Наукова думка, 2006. - 124 с.: рис., табл. - Бібліогр.: с. 116-121. - ISBN 966-00-0408-7Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Литовченко, Петро Григорович; Старчик, Маргарита Іванівна; Національна академія наук України; Інститут ядерних досліджень (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд Універсальний підсобний фонд Відділ міжбібліотечного науково-інформаційного сервісу
|
16. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА294814сл Дзян, Александр Сергеевич. Исследование закономерностей и разработка процессов плазмохимического травления кремнийсодержащих функциональных слоев МДП СБИС [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Дзян Александр Сергеевич ; АН УССР, Ин-т кибернетики им. В. М. Глушкова. - К., 1990. - 16 с. Для служ. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Академия наук Украинской ССР (Киев); Институт кибернетики имени В. М. Глушкова (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
17. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | Р80532 Диссоциация фторсилана SiF4 двухчастотным излучением непрерывного СО2 лазера с целью получения кластеров кремния [Текст] / М. Эбрехт [и др.]. - М. : [б.в.], 1995. - 38 с. - (Препр. / РАН, Институт общей физики ; 24)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Эбрехт, М.; Хускен, Ф.; Смирнов, В. В.; Стельмах, О. М.; Карпов, Н. А.; РАН; Институт общей физики (Москва)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
18. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА297751 Кільчицька, Валерія Ігорівна. Дослідження електрофізичних властивостей та радіаційних ефектів в структурах кремнію-на-ізоляторі [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Кільчицька Валерія Ігорівна ; Київський ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1997. - 22 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Київський університет імені Т. Шевченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
19. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | ДС56791 Кильчицкая, Валерия Игоревна. Исследование электрофизических свойств и радиационных эффектов в структурах кремния- на- изоляторе [Текст] : дис... канд. физ.- мат. наук: 01.04.10 / Кильчицкая Валерия Игоревна ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1997. - 136 л.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Национальная академия наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
20. ![](/irbis_nbuv/images/printer.jpg) | РА310414 Клюй, Микола Іванович. Властивості йонно- модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Клюй Микола Іванович ; Київський національний ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 2000. - 31 c.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| |