Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>U=З843.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 455
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | IP10304 Abdullayeva, Aybeniz Akif. Epitaxial films of Cd1-xFexTe and radiation resistant photosensitive structures based on them [Text] : abstr. of the diss. ... Dr of Philosophy : 3361.01 / Aybeniz Akif Abdullayeva. - Baku, 2023. - 29 p. : fig., tabl.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 2. | ІР7405 Anokhin, Igor Evgenovych. Coordinate determination of high energy charged particles by silicon strip detectors [Text] / I. E. Anokhin, O. S. Zinets. - Kyiv : [б.в.], 2002. - 12 p.: fig. - (Prepr. / National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research ; 02-2). - Бібліогр.: P.12.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Zinets, Oleg Sergijovych; National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research
Видання зберігається у :
| 3. | ІВ193484 Freistedt, Hubertus.. Transmissionsspektrometrische Untersuchungen an halbleitenden amorphen Dünnschichten und Dünnschichtsystemen [Text] : Diss. / H. Freistedt ; Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg. Die Fak. für Naturwissenschaften. - Möckern : [б.в.], 1996. - 114 S.: Fig. - Бібліогр.: S.108-114.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg. Die Fak. für Naturwissenschaften
Видання зберігається у :
| 4. | MFI5732/1-2 Geiser, Peter. Growth and characterization of ternary group-III nit [Text] : diss. / P. Geiser ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2005. - 129 p. - (ETH-Diss ; 16126) 2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
| 5. | ІВ228376 Goscinski von, Ulli. Investigation of tunable trap states-novel toolset basing on magnetic field response in organic semiconductor devices [Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät] : diss. / Ulli Goscinski von ; Universität zu Köln, Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät. - Köln, 2020. - VIII, 128 p. : fig., tab. - Бібліогр.: с. 105-120Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität zu Köln. Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 6. | ІВ224947 John, Arno Georg. Towards printing organic elrctronics [Text] : diss. / Arno Georg ; Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln. - Köln, 2018. - XII, 161 p. : fig. - Бібліогр.: с. 131-160Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität zu Köln (Köln). Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 7. | ІВ223282 Joppich, André. New Methods for p-type doping of organic semiconductors - towards the implementation of crosslinkable hole transport materials into state-of-the-art microdisplays [Text] : diss. / André Joppich ; Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln. - Köln, 2016. - IV, 178 p. : fig. - Бібліогр.: с. 165-173Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität zu Köln (Köln). Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 8. | ІС14487 Kidszun, Martin. Herstellung und Charakterisierung oxidischer Eisen-Pniktid-Supraleiter [Text] : Diss. / Martin Kidszun ; Fak. Mathematik und Naturwissenschaften der Technischen Univ. Dresden. - Dresden : [s. n.], 2012. - IV, 114 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 91-107Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Die Technische Universität Dresden. Fakultät Mathematik und Naturwissenschaften
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 9. | ІВ215383 Kissinger, Dietmar. High-linearity circuits and integrated test concepts for 77 -GHz radar receiver front-ends in silicon-Germanian technology [Text] : diss. / Dietmar Kissinger ; Techn. Fak. der Univ. Erlangen-Nürnberg. - Erlangen-Nürnberg : [s. n.], 2011. - 111 p. : fig. - Бібліогр.: с. 103-111Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität Erlangen-Nürnberg. Technischen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 10. | Ра315838 Konopko, Leonid. Proprietăţile electrofizice la temperaturi joase ale microfirelor din bismut şi ale materialelor supraconductoare metalooxidice cu compoziţie de bismut [Text] : autoref. tezei de doctor în ştiinţe fizico-matematice: 01.04.07 / L. Konopko ; Academia de ştiinţe a Republicii Moldova. Institutul de fizică aplicată. - Chişinău : [б.в.], 2001. - 20 c. Rez. eng, rus.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Academia de ştiinţe a Republicii Moldova. Institutul de fizică aplicată
Видання зберігається у :
| 11. | ІВ215595 Lim, Bianca. Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation [Text] : diss. / Bianca Lim ; Fak. für Mathematik und Physik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover : [s. n.], 2012. - 121 p. : fig. - Бібліогр.: с. 109-114Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Gottfried Wilhelm Leibniz Universität (Hannover). Fakultät für Mathematik und Physik
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 12. | ІВ225857 Mehringer, Christian. Aerosol synthesis and characterization of semiconducting nanoparticles from the elements Si and Ge for the application in printable electronics [Text] : diss. / Christian Mehringer ; Technischen Fak. der Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg. - Nürnberg, 2018. - 180 p. : fig. - Бібліогр.: с. 155-165Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Friedrich-Alexander-Universität (Erlangen-Nürnberg). Technischen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 13. | ІВ203073 Paszkiewicz, Regina. Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Text] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys. - Бібліогр.: s. 137-153. - ISBN 83-7085-726-4Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
| 14. | ІВ215391 Poller, Benjamin. Untersuchungen zur Darstellung von Transparent Conducting Oxides [Text] : Diss. / Benjamin Poller ; Naturwiss. Fak der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover : [s. n.], 2011. - 261 S. : Abb., Tab. - Бібліогр.: с. 241-253Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover. Naturwissenschaftlichen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 15. | ІВ193267 Ruhnau, Ulrich. Epitaktisches Wachstum von ß-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung [Text] : Diss. / U. Ruhnau ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 101 S.: Bild. - Бібліогр.: s.87-100Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik
Видання зберігається у :
| 16. | ІС14568 Shuai, Yao. Nonvolatile resistive switching in BiFeO3 thin films [Text] : diss. / Yao Shuai ; Fak. für Mathematik und Naturwissenschaften, Techn. Univ. Dresden, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. - Dresden : [s. n.], 2012. - VII, 86 p. : fig., tab. - Бібліогр.: с. 79-83Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Technische Universität (Dresden). Fakultät für Mathematik und Naturwissenschaften; Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 17. | MFI5572/1-2 Thybaut, Cyril. Electromechanical behaviour of CGG-type compounds at non ambient temperatures [Text] : diss. / C. Thybaut ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2004. - 94 p. - (ETH-Diss ; 15828) 2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
| 18. | ІВ215119 Tomashik, Vasyl. Ternary alloys based on II-VI semiconductor compounds [Text] / Vasyl Tomashik, Petro Feychuk, Larysa Shcherbak. - Chernivtsi : Books - XXI, 2010. - 440 p. : fig., tab. - Бібліогр. в кінці ст. - 500 прим. - ISBN 978-966-2147-97-1 Трансліт. прізв. авт. невірна. Див. також авт.: V. Tomashyk, P. Feichuk, L. ShcherbakРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Feychuk, Petro; Shcherbak, Larysa; Tomashyk, Vasyl (Укр. трансліт. Постанова №55 2010 р.); Feichuk, Petro (Укр. трансліт. Постанова №55 2010 р.); Shcherbak, Larysa (Укр. трансліт. Постанова №55 2010 р.)
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 19. | ІВ223996 Tomashyk, Vasyl. Multinary alloys based on II-VI semiconductors [Text] / Vasyl Tomashyk. - Boca Raton ; London ; New York : CRC press, 2016. - XXI, 670 p. : fig. - Бібліогр. в кінці розд. - ISBN 13:978-1-4822-3651-4 (hardback)Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| 20. | ІВ219104 Tran, Van-Huong. Entwicklung einer Miniplant-Anlage für die Verschalung von CdSe basierten II-VI halbleitenden Nanopartikeln im Fließ-System [Text] : Diss. / Van-Huong Tran ; Fachbereich Chemie der Univ. Hamburg. - München : [s. n.], 2012. - V, 138 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 119-122. - ISBN 978-3-8439-0698-2Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Universität Hamburg. Fachbereich Chemie
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| |
|
|