|
|
ДС44390
Нгуен Суан Нгиа
Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Нгуен Суан Нгиа ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1994. - 219 л. - л.:208-219Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|