|
|
ІВ198595
Duschl, Rainer.
Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden [Text] : Diss. / R. Duschl ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Suttgart : [б.в.], 2000. - 136 S.: Abb. - Бібліогр.: S.119-127Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Physik
Видання зберігається у :
|
|