ІВ193267
Ruhnau, Ulrich.
Epitaktisches Wachstum von ß-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung [Text] : Diss. / U. Ruhnau ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 101 S.: Bild. - Бібліогр.: s.87-100

Рубрикатор НБУВ:
 В379.251.4 
 З843.3 
Тематичні рубрики:
 Кристалізація 
 Напівпровідникові матеріали та вироби 


Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik

Видання зберігається у :