|
|
ВА725525
Камалов, Амангелди Базарбаевич.
Oсобенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) [Текст] / Камалов А. Б. ; НАН Украини, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К. : [б.и.], 2008. - 122 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 98-122 . - 150 прим. - ISBN 978-966-02-4896-0Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
Універсальний підсобний фонд
Відділ обмінно-резервних фондів
|
|