|
|
ДС69239
Ренгевич, Алексей Евгеньевич.
Влияние гамма-радиации и СВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ренгевич Алексей Евгеньевич ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 2001. - 158 л.: табл. - Библиогр.: л. 119-134Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|