|
|
РА313614
Ренгевич, Олексій Євгенович.
Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ренгевич Олексій Євгенович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 19 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|