РА313327
   Гайдар, Галина Петрівна.
Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 20 с.: рис.

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд