Пошуковий запит: (<.>K=ТЕРМОДИНАМІКА$<.>+<.>K=ПОВЕРХНЕВ$<.>+<.>K=ЯВИЩ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 42
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Дорожинський , Гліб Вячеславовия. Розробка конструкторськ-технологічних методів підвищення точності вимрювання та чутливості приладів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу : автореф.дис.канд.техн.наук:05.27.06 / Г. В. Дорожинський ; (Київ), 2016. - 20 с.
Дод. точки доступу: (Київ)
|
2. |
Гололобов, Юрій Павлович. Фото-та термоіндуковані явища у потрійних халькогенідних сегнетонапівпровідниках з неспівмірними фазами : дисертація докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Ю. П. Гололобов ; (Київ). - Київ, 1999. - 261 с. - Бібліогр.: назв.(331)с.222-261
Дод. точки доступу: (Київ)
|
3. |
Жученко, Зоряна Ярославна. магнітооптичні та багаточастинкові явища в гетероструктурах на основі квантових ям InGaAs з близькими до критичних ширинами : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / З. Я. Жученко ; (Київ). - Київ, 2000. - 150 с. - Бібліогр.: назв.(153)с.134-150
Дод. точки доступу: (Київ)
|
4. |
Мельничук, Олександр. Володимирович. Поверхневі плазмон-фононні збудження в одновісних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC та структурах на їх основі : дис...докт.фіз.-мт.наук:01.04.10 / О.В Мельничук ; (Київ). - Київ, 2000. - 329 с. - Бібліогр.: назв.(298)с.298-328
Дод. точки доступу: (Київ)
|
5. |
Чегель, Володимир Іванович. Вплив діелектричних характеристик середовища та зовнішніх факторів на параметри фізичних та біологічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / В. І. Чегель ; (Київ). - Київ, 2002. - 152 с. - Бібліогр.: назв.(140)с.139-152
Дод. точки доступу: (Київ)
|
6. |
Рябченко, Юрій Сергійович. Вплив метастабільних та резонансних домішкових станів на явища переносу в твердих розчинах А3В5 та А2В6 : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07. / Ю. С. Рябченко ; (Київ), 2003. - 112 с. - Бібліогр.: назв.(168)с.103-112
Дод. точки доступу: (Київ)
|
7. |
Гасан-заде, Салім Гюльрзаевич. Електронні явища в вузькощілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / С. Г. Гасан-заде ; (Киев). - Київ, 2003. - 302 с. - Бібліогр.: назв.(378)с.268-302
Дод. точки доступу: (Киев)
|
8. |
Ренгевич, Олена Вікторівна. Фізичне моделювання хіміко-біологічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / О. В. Ренгевич ; (Київ). - Київ, 2004. - 161 с. - Бібліогр.: назв.(159)с.159-162
Дод. точки доступу: (Київ)
|
9. |
Вітусевич , Світлана Олексієвна. Явища переносу в квантово-розмірних гетероструктурах на основі елементів III-V груп : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / С. О. Вітусевич ; (Київ), 2006. - 384 с. - Бібліогр.: назв.(349)с.348-384
Дод. точки доступу: (Київ)
|
10. |
Різак, Івн Михайлович. теплофізичні властивості й явища перенесення при термофотоструктурних перетвореннях халькогенідних іонних сегнетолектриків типу гексаселеногіподифосфату олова та іонних провідників тетраборату літію : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук: / І. М. Різак ; (Київ). - Київ, 2016. - 39 с. - Бібліогр.: назв.
Дод. точки доступу: (Київ)
|
11. |
Різак , Іван Михайлович. Теплофізичні властивості й явища перенесення при термофотоструктурних перетвореннях халькогенідних іонних сегнетоелектриків типу гексаселеногіподифосфату олова та іонних провідників тетраборату літію : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.07 / І. М. Різак ; (Київ). - Київ, 2016. - 415 с. - Бібліогр.: назв.(554)с.360-415
Дод. точки доступу: (Київ)
|
12. |
Руденко, Світлана Петрівна. Розмірні ефекти лінійної амплітудної анізотропії у явищі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / С. П. Руденко ; (Київ). - Київ, 2010. - 144 с. - Бібліогр.: назв.(133)с.132-144
Дод. точки доступу: (Київ)
|
13. |
Чурсанова, Марина Валеріївна. Взаємозв,язок морфології металізованих напівпровідникових підкладок з поверхневим підсиленням комбінаційного розсіювання світла молекулами та неорганічними кластерами : дис.канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. В. Чурсанова ; (Київ). - Київ, 2011. - 140 с. - Бібліогр.: назв.(182)с.121-139
Дод. точки доступу: (Київ)
|
14. |
Оліх, Ярослав Михайлович. Акустостимульовані явища у напівпровідникових реальних кристалах... : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Я. М. Оліх ; (Київ). - Київ, 2011. - 343 с. - Бібліогр.: назв.(351)с.305-342
Дод. точки доступу: (Київ)
|
15. |
Тимочко, Микола Дмитрович. Гальваномагнітні явища у модифікованих ультразвуком та y-опроміненням кристалах CdMnHgTe, Ge,Si : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. Д. Тимочко ; (Київ), 2011. - 174 с. - Бібліогр.: назв.(159)с.159-174
Дод. точки доступу: (Київ)
|
16. |
Лопатинський, Андрій Миколаєвич. Особливості оптичного відгуку в оптоелектронних біосенсорах на основі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / А. М. Лопатинський ; (Київ). - Київ, 2013. - 189 с. - Бібліогр.: назв.(219)с.167-189
Дод. точки доступу: (Київ)
|
17. |
Кухтарук, Сергій Миколаєвич. Надвисокочастотні явища, що виникають при взаємодії дрейфуючих електронів з полярними оптичними фононами або з дипольними коливаннями наночатинок : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / С. М. Кухтарук ; (Київ). - Київ, 2013. - 165 с. - Бібліогр.: назв.(144)с.153-165
Дод. точки доступу: (Київ)
|
18. |
Коровін, Олександр Вадимович. Поверхневі поляритони і локальні збудження в плазмонно-фотонних наноструктурах : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. В. Коровін ; (Київ). - Київ, 2014. - 328 с. - Бібліогр.: назв.(357)с.279-320
Дод. точки доступу: (Київ)
|
19. |
Христосенко, Роман Васильович. Тонкоплівкові сенсори для аналізу молекулярної взаємодії на основі поверхневого плазмонного резонансу та інтерференційної колориметрії : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / Р. В. Христосенко ; (Київ). - Бібліогр.: назв.(174)с.114-132
Дод. точки доступу: (Київ)
|
20. |
Дорожинський , Гліб Вячеславович. Розробка конструкторсько-технологічних методів підвищення точності вимірювання та чутливості приладів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Г. В. Дорожинський ; (Київ). - Київ, 2016. - 150 с. - Бібліогр.: назв.(203)с.1127-148
Дод. точки доступу: (Київ)
|
| |