1. |
Dąbrowski, Władysław. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel. - Kraków : [s. n.], 1988.. - 21 p. : fig.. - (Raport / Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; INT 220/E). - 150 прим. ------------ Дод. точки доступу: Korbel, Kazimierz
2. |
Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices : some physico-technological aspects / A. Belyaev [a. o.] ; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine, Slovak univ. of technology. - Kyiv : Інтерпрес ЛТД, 1998.. - 127 p.: ill.. - Бібліогр.: p.117-127. - ISBN 966-501-024-7 ------------ Дод. точки доступу: Belyaev, A. E.; Breza, J.; Venger, E,F.; Vesely, M.; Yu, I...; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine; Slovak univ. of technology
3. |
Paglino, Carmine. Schottky-Barrierenfluktuationen in Pb1-xSnxSe/CaF2/Si(111) Infrarot-Schottky-Dioden : Abh. / C. Paglino ; Eidgenössische Technische Hochschule Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996.. - 90 S.:Fig.. - (Diss ETH ; 11741) ------------ Дод. точки доступу: Eidgenössische Technische Hochschule Zürich
4. |
Encyclopedia of applied physics / ed. G. L. Trigg [a.o.]. - New York, NY : VCH Publishers etc., 1991 . Vol. 16 : Raman spectroscopy instrumentation to Schottky barriers. - 1996.. - vii, 600 p.: fig.. - Бібліогр.: v kinci st.. - ISBN 1-56081-058-0 (set). - ISBN 1-56081-075-0 (vol.16) ------------ Дод. точки доступу: Trigg, George L. \ed.\
5. |
Los, Andrei. Influence of carrier freeze-out on sic Schottky junction admittance : diss. / A. Los ; Mississippi State University. - Mississippi State : [б.в.], 2001.. - IX, 88 l.: fig.. - Бібліогр.: l.80-86 ------------ Дод. точки доступу: Mississippi State University
6. |
Schottky, W.. Thermodynamik : Die Lehre von den Kreisprozessen den physikalischen und chemischen Veränderungen und Gleichgewichten / W. Schottky [u.a]. - Berlin : Springer, 1929.. - 619 S.: Abb. ------------ Дод. точки доступу: Ulich, H.; Wagner, C.
| | | | | |