Проведено дослідження радіаційної стабільності та термостабільності оптичних характеристик полістирольних сцинтиляторів, модифікованих пластифікаторами на базі похідних нафталіну, дифенілу, дитоліл метилену, ефірів фталієвої кислоти, оліго-метил-феніл-силоксанів. Показано, що структура і розмір молекули пластифікатора має визначальний вплив на стабільність характеристик сцинтиляторів за умов експлуатації.

Радіаційна стійкість напівпровідникових детекторів на основі кремнію, передусім, визначається швидкістю видалення точкових дефектів і скупчень кластерів дефектів. Тому введення електрично неактивної домішки кисню стимулює відведення потоку вакансій від легуючої домішки фосфору. Таким чином, навіть за умови більшого радіуса захоплення вакансій атомом фосфору, висока концентрація кисню пригнічує формування E-центрів. Використання методу трансмутаційного легування дозволяє отримати кремній підвищеної радіаційної стійкості. Попереднє опромінення нейтронами або зарядженими частинками з наступним відпалом також дозволяє підвищити його радіаційну стійкість. Це пов'язано з введенням до складу зазначеного зразка стоків для первинних радіаційних дефектів, що й обумовлює його підвищену радіаційну стійкість.

Використання кремнійорганічних матеріалів у детекторах є одним із перспективних напрямків покращання їх характеристик. Особливо ефективними виявляються ці матеріали у разі їх застосування як полімерної основи конвертуючих елементів. Наведено дані про полімерні люмінесцентні композиції, застосовані для підвищення хімічної стійкості кристалів CsI та CsI (Tl) і покращання їх характеристик. Кристали мали форму зрізаних пірамід із перерізом у вигляді багатокутника та довжину 320 мм. Вивчено вплив полімерної структури, хімічної природи люмінесцентних домішок та їх концентрації у складі композиції на сцинтиляційні характеристики детекторів та їх чутливість. Показано, що спектрозсувне покриття з тонкої (15 мкм) плівки сілоксану дозволяє не тільки надійно захистити сцинтилятор від атмосферної вологи, але й ефективно скоригувати його характеристики.

Розглянуто особливості механізму необоротних фотоструктурних перетворень у шарах As-S-Se. Необоротні фотоструктурні перетворення в шарах As-S-Se починаються з початкового стану, який є термодинамічно нестабільним, відрізняється від структури стекол або відпаленої плівки (кінцевого стану, до якого прямує структура шарів під дією зовнішніх чинників) і визначається умовами виготовлення шарів As-S-Se. Для досліджених складів As-S-Se показано кореляцію особливостей композиційних залежностей дисперсійної енергії, оптичної діелектричної сталої для відпалених або опромінених шарів і структурно-залежних параметрів стекол As-S-Se: температури склування Tg, релаксаційної ентальпії (H), питомої теплоємності Cp. Необоротні фотоструктурні перетворення характеризуються відсутністю суттєвого впливу дифузійних процесів. Це пов'язано з високою концентрацією (до десятків атомних процентів) і, відповідно, безпосередньою близкістю нестехіометричних молекулярних фрагментів, що містять гомополярні (As-As, S-S (Se-Se)) зв'язки. Переключення зв'язків зі зменшенням числа гомополярних зв'язків, різних дефектів енергетично вигідно. Розгляд еволюції числа таких фрагментів (числа гомополярних зв'язків) внаслідок полімеризаційних процесів під дією опромінення, що наближає локальну структуру аморфних шарів до відповідної структури скла, дає експоненційний спад їх кількості у разі збільшення експозиції. Це знаходить експериментальне підтвердження в експоненційному спаді інтенсивності смуг КР, що відповідають наявності нестехіометричних молекулярних фрагментів, які містять гомополярні зв'язки.

Розглянуто технологічні аспекти отримання плівок нітридів і боридів тугоплавких металів для бар'єрних і омічних контактів, а також контактів з антидифузійними шарами для арсенідгалієвих і кремнієвих епітаксійних структур, які використовуються для створення НВЧ діодів. Досліджено властивості напилених плівок і меж поділу метал - напівпровідник, а також електрофізичні параметри контактних структур і лавинно-пролітних діодів. Показано високу термічну стійкість контактних структур на базі боридів і нітридів титану та боридів цирконію.

Досліджено спектральні властивості смугових відбивальних інтерференційних фільтрів. Дія фільтра базується на застосуванні методу залишкових променів. Проаналізовано кутові залежності пропускання фільтра від параметрів багатошарового покриття (кількості шарів, коефіцієнтів заломлення, оптичних товщин).

Легування кубічного ZnSe домішками Mg або Mn під час росту кристала призводить до підвищеного вмісту гексагональної фази у кристалі або навіть викликає перехід до гексагональної модифікації - вюрциту, що має анізотропні властивості. Це відкриває можливості для конструювання пасивних оптичних елементів з цього матеріалу з наданням їм контрольованих і вимірних властивостей. Вивчено еволюцію структури мнонокристала ZnSe внаслідок легування Mg із різною концентрацією за допомогою двокристалічного рентгенівського спектрометра.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14 + В379.271

Рубрики:

Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14 + Г461.313

Рубрики:

Твердіння. Кристалізація. Ріст кристалів

Аналіз по спектрам поглинання (абсорбційний спектральний аналіз)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г461.315-95:51

Рубрики:

Люмінесцентний та флуоресцентний аналіз. Хемілюмінесцентний аналіз

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З849-047

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ