Розроблено технологію отримання сцинтиляційних монокристалів на основі складних оксидів з великим атомним номером - германату вісмуту (ВGO), силікату гадолінію (GSO), вольфраматів кадмію (CWO) та свинцю (PWO). Сцинтилятори на їх основі мають задовільне енергетичне розділення та світловий вихід, високу ефективність реєстрації, високу радіаційну стійкість, механічну тривкість, є негігроскопічними. Це робить їх придатними для використання в якості детекторів випромінювання у фізиці великих енергій (PWO), у приладах радіаційного та радіоекологічного контролю (BGO, CWO и GSO).

Проведено теоретичний аналіз впливу екситонних станів на інтенсивність крайової люмінесценції напівпровідників різного типу за кімнатних температур і високих рівнів збудження з урахуванням ефектів екранування й екситонного переходу Мотта в рамках простих співвідношень, отриманих варіаційним методом. Обговорено також залежності квантового виходу фотолюмінесценції від рівня збудження і роль механізму екситонної безвипромінювальної анігіляції завдяки Оже-рекомбінації з участю глибоких домішкових рівнів. Доведено, що ймовірність такої Оже-рекомбінації зменшується зі зменшенням енергії зв'язку екситона.

HgCdTe продовжує залишатися найважливішим матеріалом для інфрачервоних фотоприймачів, незважаючи на численні спроби замінити його альтернативними матеріалами. Серед останніх - дуже близькі до нього стопи ртуті (HgZnTe, HgMnTe), бар'єри Шотткі на кремнії, гетеропереходи SiGe, системи AlGaAs із множинними квантовими ямами, надгратки GaInSb із деформованими шарами, високотемпературні надпровідники та особливо два типи болометрів: піроелектричні та кремнієві. Жодна з цих альтернатив не може зрівнятися з HgCdTe за основними властивостями, крім того, у HgCdTe майже сталий період гратки, що є особливо важливим для нових приладів на базі складних гетероструктур. Розвиток таких витончених методів керованого газофазного епітаксійного вирощування як молекулярно-променева епітаксія та хімічне осадження з пари металоорганічних сполук дало можливість виготовляти майже ідеальні діоди на гетероструктурах. Представлено нові прилади на базі гетероструктур, які працюють у довгохвильовому, середньохвильовому та короткохвильовому спектральних діапазонах.

Теоретичні та експериментальні дослідження просторового розподілу електричного потенціалу в тонких кристалічних пластинках селеніду цинку і кварцу є частиною загального підходу щодо при вивчення індукованих неоднорідним нагрівом полярних станів у широкому класі матеріалів, в тому числі в тих, що не належать до полярних кристалографічних класів. Розроблено оригінальні принципи побудови нового класу піроелектричних сенсорів прохідної потужності випромінювання з максимально досяжною верхньою границею динамічного діапазону для моніторингу інтенсивного випромінювання в широкій ІЧ області.

Проведено дослідження основних оптичних властивостей і радіаційної стійкості нового полістирольного сцинтилятора (ПС) UPS98GC. Сцинтилятор UPS98GC порівняно зі сцинтилятором SCSN-81, що виготовляється Kuraray Co. й активно використовується у фізиці високих енергій. Проведено дослідження залежності характеристик ПС від загальної накопиченої дози і потужності дози опромінення. У випадку малої потужності дози, близької до тієї, що спостерігається у процесі експлуатації, UPS98G не поступається SCSN-81.

Для вивчення мікроструктури поверхневих шарів кремнію та релаксаційних процесів, індукованих пучками іонів низької енергії, проведено комп'ютерне моделювання методом молекулярної динаміки з потенціалом Штілінгера-Вебера. За допомогою вдосконаленої схеми розрахунку для моделювання алмазоподібних структур, виявлено нові особливості релаксованої поверхні (001) кремнію. Встановлено, що релаксована мікроструктура чистої поверхні (001) Si характеризується обірваними зв'язками в перших трьох приповерхневих шарах і негексагональними багатокутниками. Утворення димерів спостережено не лише в першому шарі. Виявлено нові просторові конфігурації димерів. З'ясовано деякі умови, що спричиняють ефект радіаційно-стимульованої релаксації поверхневих шарів під дією іонного бомбардування в області енергій поблизу порогу пружних атомних зміщень у кремнії.

Запропоновано важливе поліпшення юнгівської моделі дифракції. Нова інтерпретація базується на твердженні про існування процесу переносу енергії, спрямованого від залишкового поля до граничної хвилі, що формально може бути враховано введенням джерела для цієї хвилі на межі геометричної тіні. Цим надається законність використанню параболічного рівняння у вигляді стандартного рівняння дифузії - теплопровідності. За подібним підходом, було отримано компактне аналітичне представлення цієї хвилі для випадку дифракції плоскої хвилі на краю півплощини, яке повністю узгоджується з точним розв'язком Зоммерфельда та відомими експериментальними фактами.

Пластинки зубної емалі, опромінені іонізуючим випромінюванням різних типів, досліджено методом ЕПР томографії зі стаціонарним градієнтом. Зареєстровано залежність розподілу радіаційних дефектів від типу опромінення. Запропоновано новий метод ретроспективної ЕПР дозиметрії, який дозволяє визначити тип опромінення, якого зазнав об'єкт.

Наведено результати досліджень оптичних характеристик і тонкої дефектної структури великих кристалів сапфіру, вирощених в газовому середовищі CO низького тиску (0.1...0.3 торр). Встановлено оптимальні умови відпалу оптичних елементів з таких кристалів, які забезпечують їх високу прозорість в УФ- діапазоні та високу стійкість до УФ-випромінювання. Доведено перспективність використання газового середовища CO для вирощування великих кристалів сапфіру високої оптичної якості та структурної досконалості.

Вперше проведено дослідження впливу різних типів іонізуючих частинок ( гамма-квантів, електронів) і нейтронів на інфрачервоні спектри дифосфіду цинку. Встановлено, що дефекти фосфорної підгратки, які є основними оптично-активними центрами в інфрачервоній області, визначають еволюцію структури кристалів дифосфіду цинку в процесі взаємодії з різними видами опромінення.

Простий формалізм матриць Джонса застосовано для знаходження інтенсивності світла, яке пройшло крізь пластину однорідного анізотропного середовища. Розглянуто випадок похилого падіння. На основі отриманих результатів знайдено матрицю Джонса закрученого нематичного рідкого кристала. Показано метод знаходження кутових характеристик розподілу контрасту для нематичного рідкокристалічного дисплея. Отримані результати порівняно з експериментальними даними.

Розглянуто вплив постійного однорідного електричного поля на процес двофотонного екситонного поглинання світла в кристалах. Матричний елемент, відповідальний за вказаний процес, обчислено за допомогою лінійного за полем фотонів оператора електрон-фотонної взаємодії в рамках теорії поляритонів. Він містить доданок, залежний від напруженості електричного поля. Встановлено, що за певних напрямків електричного поля та векторів поляризації двофотонне поглинання може відбуватися лише за рахунок дії електричного поля. Ймовірність цього процесу залежить також від класу симетрії кристала та типу екситонного стану. Кілька окремих випадків розглянуто більш детально. Для них побудовано таблиці кутових залежностей імовірності процесу, що дає можливість експериментально перевірити отримані результати.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531

Рубрики:

Сцинтилятори для лічильників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33

Рубрики:

Тверді розчини

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методами рентгенівської дифрактометрії та УФ-спектроскопії вивчено вплив різних змінних параметрів кристалізації (ступеня чистоти розчину, пересичення , гідродинаміки та кислотності розчинів) на структурну досконалість та спектри поглинання світла в монокристалах KDP, вирощених у напрямку заданого (theta = 59 °) кута синхронізму. Продемонстровано, що кожний з обраних параметрів кристалізації діє своєрідно, змінючи (за незмінності інших) реальну структуру та оптичні характеристики кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.1-17 + Г461.39

Рубрики:

Кисень

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З996-03 + В372.35

Рубрики:

Інфрачервона техніка

Рідкі кристали

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ