1. |
Болтовец Н. С. Формирование мезаструктур 4НSiC IpD-i-InD-диодов методом ионно-плазменного травления / Н. С. Болтовец, А. Г. Борисенко, В. Н. Иванов, А. О. Федорович, В. А. Кривуца, Б. П. Полозов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 5. - С. 45-48. - Библиогр.: 8 назв. - рус. Ключ. слова: p - i-n-диод, карбид кремния 4НSiC, травление ионно-плазменное, травление кремния, мезаструктура, чип диода Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|