Вивчено вплив Ni і Se на кінетику кристалізації Ge:Sb:Te сплавів. Виявлено, що обидва елементи підвищують стабільність аморфної структури. Кінетика кристалізації при ізотермічній обробці показує, що Ni зменшує як бар'єр термічної кристалізації, так і швидкість кристалізації. Кристалізація зразків, які містять Se, також уповільнена, можливо завдяки більш сильній енергії зв'язку цього елементу в порівнянні з Te.