Основное внимание уделено принципам построения и расчета разнообразных устройств на мощных полевых транзисторах: однотактных и двухтактных ключей, регенеративных схем, импульсных усилителей, регуляторов и преобразователей, бестрансформаторных источников электропитания, генераторов импульсов с малыми временами нарастания и спада, усилителей НЧ, ВЧ, СВЧ и др. Приведены данные о конструкции и параметрах мощных полевых транзисторов и их электрических моделях.

Описаны устройство, принцип действия, основные характеристики и параметры полевых транзисторов отечественного производства. Рассмотрены вопросы, связанные с работой этих приборов в различных радиоэлектронных устройствах. Приведены таблицы параметров и усредненные статические характеристики основных типов полевых транзисторов, а также методика расчета различных элементов схем с числовыми примерами.

Книга посвящена анализу различных шумовых характеристик биполярных транзисторов в диапазоне звуковых частот, оценке конкретных источников шума, наблюдаемых в современных транзисторах, прежде всего кремниевых пленарных, определению условий оптимизации собственных шумов транзисторов в различных случаях, в том числе и при изменении температуры и воздействии радиации. Подробно рассмотрены зависимости коэффициента шума от сопротивления источника сигнала, режима смещения транзистора, частоты. Обсуждаются особенности кремниевых пленарных транзисторов и их характеристики в области малых смещений.