Пошуковий запит: (<.>U=В379.24$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 902
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon [Текст] / T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.61-65
|
| 2. | Ж16425 Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.50-53
|
| 3. | Ж16425 Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.31-34
|
| 4. | Ж26988 Бондар В. М. Виявлення генерації випромінювання далекого ІЧ-діапазону у дірковому германії при схрещених напрямках прикладеного одновісного тиску та електричного струму [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.318-319
|
| 5. | Ж26988 Вашпанов Ю. О. Вплив адсорбції аміаку на фотолюмінесценцію неоднорідного мікропоруватого кремнію [Текст] 44: 7 // Укр. фіз. журн.-С.867-870
|
| 6. | Ж26988 Венгер Є. Ф. Вплив плазмон-фононного зв'язку на коефіцієнт відбиття в одновісному полярному напівпровіднику ZnO [Текст] 45: 8 // Укр. фіз. журн.-С.976-984
|
| 7. | Ж26988 Булах Б. М. Дослідження фоточутливих структур поруватий кремній/монокремній методом температурних залежностей фото-едс [Текст] 45: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1083-1086
|
| 8. | Ж14161 Макара В. А. Лазерное управление процессами подвижности дислокаций в кристаллах кремния [Текст] 22: 10 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.56-62
|
| 9. | Ж26988 Покутній С. І. Міжзонне поглинання світла в напівпровідникових нанокристалах [Текст] 44: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1160-1163
|
| 10. | В343884 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 2 [Текст]
|
| 11. | В343210 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні і фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 1 [Текст]
|
| 12. | Ж68777 Дмитрук М. Поляритонні та фрактальні властивості мікрорельєфних поверхонь напівпровідників [Текст] Т. 3 // Фіз. зб.-С.91-103
|
| 13. | Ж26988 Монастирський Л. С. Фото-, електро- та катодолюмінесценція пористого кремнію [Текст] 46: 1 // Укр. фіз. журн.-С.97-99
|
| 14. | Ж68850/фіз. Goyer D. B. Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.38-43
|
| 15. | Ж26988 Grigor'ev N. N. Photoluminescence parameters and critical thickness of Inx Ga1 - xAs quantum well layers embedded in GaAs matrix [Текст] 45: 7 // Укр. фіз. журн.-С.853-859
|
| 16. | Ж26988 Пирога С. А. Вплив домішки міді на нелінійно оптичні властивості монокристалів CdI2 [Текст] 46: 7 // Укр. фіз. журн.-С.735-739
|
| 17. | Ж26988 Порошин В. М. Нелінійні оптичні явища, пов'язані з гарячими електронами в багатодолинних напівпровідниках [Текст] 44: 1-2 // Укр. фіз. журн.-С.60-65
|
| 18. | Ж60673 Воробкало Ф. М. Определение концентрации глубоких центров в полуизолирующем GaAs по спектрам поглощения ИК излучения He - Ne-лазера [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.137-141
|
| 19. | Ж26988 Монастирський Л. С. Оптико-люмінесцентні дослідження гетероструктур поруватий кремній - кремнієва підкладка [Текст] 44: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1468-1472
|
| 20. | Ж26988 Лещук Р. Є. Оптична спектроскопія активаторних центрів Eu3+ у монокристалах Ca3Ga2 Ge4O14 [Текст] 44: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1257-1260
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка