Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Demidenko A. A. Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-24
2.Ж16425 Khizhnyak A. Characteristics of thermal lens induced in active rod of cw Nd:YAG laser [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.147-152
3.Ж16425 Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.50-53
4.Ж16425 Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.157-162
5.Ж16425 Zabello E. Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.142-146
6.Ж16425 Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-14
7.Ж16425 Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.78-83
8.Ж16425 Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.54-58
9.Ж16425 Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.25-30
10.Ж16425 Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.31-34
11.Ж16425 Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.88-89
12.Ж16425 Kashirina N. I. Bipolarons in anisotropic crystals and low dimensional structures [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.7-10
13.Ж16425 Tomashik Z. F. Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.80-83
14.Ж16425 Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.62-69
15.Ж16425 Gorban A. P. Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.45-49
16.Ж16425 Dotsenko Yu. P. Electro-physical properties of gamma-exposed crystals of silicon and germanium [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.47-55
17.Ж16425 Korsunskaya N. E. Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II - VI compounds [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.42-46
18.Ж16425 Venger Ye. F. Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.124-132
19.Ж16425 Stronski A. V. Image formation properties of As40S20Se40 thin layers in application for gratings fabrication [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.111-114
20.Ж16425 Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.70-75
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського