The universal thermoregulating cryosystem ensuring a possibility to work practically with any kind of working cryoagent without a modification in construction of the cryostat is developed. For a want of application of liquid helium as the work cryoagent the system ensures regulation of temperature in a range 1,4 - 4,2 - 300 K with the stability not worse 0,1 K and the consumption of liquid helium not more 0,08 Ltr/hour. In a case of use of liquid nitrogen the system ensures a thermal control in a range 77; 80 - 300 K with the stability not worse 0,1 K and the consumption of liquid nitrogen not more 0,15 Ltr/hour.

Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested.

Індекс рубрикатора НБУВ: В383.33в641.8 + Б1н6

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The growth condition effect of gallium phosphide monocrystals grown by Czochralski method on change of microhardness, photoluminescence and edge absorption spectrum under the action of high power pulsed laser radiation has been studied. The modifications of microhardness and edge absorption curves, increases in a number of radiative recombination centers has been associated with laser stimulated dissociation of the region rich of impurities, generation of defects and their interaction with intrinsic defects.

Etching duration and anodic current density dependences of intensity and maximum position of the photoluminescence spectra of porous silicon layers obtained by anodization of silicon wafer are investigated. The sizes of silicon nanoclusters formed during the anodization procedure are estimated. It is shown that the dependence of formed clusters sizes on etching conditions for porous layers is different for various crystallographic orientations of the substrate. The model explaining this feature at various speeds of porous layer frontal advance deep into silicon substrate is offered. Presented results may be used for optimization of etching conditions in order to obtain the porous silicon layers having the preset parameters.

Ключ. слова: SnO_2, thin films, gas sensitivity, ethanol
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + Г124.323.1

Рубрики:

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В333.212.3

Рубрики:

Іонізація атомів і молекул

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7в641.0

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Sulfides of lead and cadmium form the limited solid solutions that are especially appreciable on spectral characteristics of this heterophase system [1], as initial substances of it are the known photoconductors. The purpose of the given work is to study spectral characteristics of heterophase film structures photocurrent at presence of external illumination and contact injection.

It is shown the change of the neutral contact in Corbino disk by the injection contact brings to the increase of magnetosesitivity in diode structures.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.54

Рубрики:

Напівпровідникові перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2

Рубрики:

Халькогеніди

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047 + В381.54

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Детектори випромінювання Вавілова-Черенкова (черенківські лічильники і спектрометри)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.6

Рубрики:

Діелектрики

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-06

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Tin dioxide nanostructured thin films properties obtained by the photoluminescent methods are reported. As a result of the researches fulfilled the luminescence in the visible region of 577 nm and 642 nm was established which is not yet reported in the literature. The luminescent mechanism connected with the system of centers typical for nanostructured objects are analyzed. The radiation spectra types changes, caused by the thermal treatment of a nanoscale tin dioxide films were noticed, which may be connected with structural transformations. These transformations seems caused the luminescent mechanism change from the intercenters' type to the recombinational one.

A new method to calculate the energies and ionization characteristics of multielectron molecules (on example of hydrogen molecule) and Wannier - Mott bi-excitons (on example of bi-exciton in CuCl) in uniform electric field is developed. Some numerical results are presented.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.225

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ