Описано автоматизовану установку для безконтактного контролю результатів технологічних обробок (ТО) напівпровідникових пластин і фізичні основи її функціонування. Можливості установки базуються на вимірюваннях зарядового стану поверхні за допомогою методу контактної різниці потенціалів і дозволяють вимірювати величину дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. На прикладі пластин кремнію, що пройшли технологічні етапи виробництва сонячних елементів, показано основні можливості установки та надано результати досліджень, що характеризують якість ТО.

Адсорбцію та обертання димера Bi над димерним рядом на поверхні Si(001) досліджено за допомогою розрахунків з перших принципів. Розраховано дві стабільні конфігурації димера Bi A та В типів. Димери Bi В типу є більш енергетично вигідними. Визначено різницю енергій між димерами в А та В конфігураціях, що склала 0,34 еВ. Визначено найвигідніший шлях обертання димера Bi та відповідний енергетичний бар'єр. Досліджено впив поля вістря СТМ і дефектів на бар'єр обертання димера Bi.

На базі моделі Тимошенка досліджено вплив деформацій зсуву на характеристики ортотропного сенсора за вимушених гармонічних коливань прямокутної ортотропної пластини з шарнірним закріпленням її торців. Одержано прості аналітичні формули для заряду, струму та різниці потенціалів, які показує сенсор. Як частковий випадок розглянуто трансверсально-ізотропну пластину з трансверсально-ізотропним сенсором. Електромеханічну поведінку матеріалів у випадках моногармонічного механічного та електричного навантажень описано з використанням концепції комплексних характеристик.

Одержано пряме експериментальне підтвердження зміни критичної густини струму за рахунок зовнішнього магнітного поля (МП). Показано, що керуючи полярністю та амплітудою струму, що протікає крізь контакт, можна підвищити критичну густину струму. Вивчено вплив захопленого МП на властивості джозефсонівського контакту.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.6

Рубрики:

Дифузія, самодифузія і внутрішнє тертя (в'язкість) в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто формулу псевдообертання добутку лінійних нетерових операторів, а також інші властивості цих операторів у гільбертових просторах.

Розглянуто неголономні аналоги класичних точкових і лінійчатих багатовидів тривимірного евклідового простору. Всі аналоги побудовано за допомогою геометричного методу. Складено системи вихідних диференціальних рівнянь цих неголономних багатовидів.

Процес дифузії B-димерів Ge-Ge і Si-Si на поверхні Ge (001) досліджено за допомогою розрахунків із перших принципів. Для B-димерів Ge-Ge і Si-Si знайдено два найбільш імовірні шляхи дифузії. Шлях I відповідає корельованому руху адатомів. Шлях відповідає руху цілого димеру. Одержані енергії бар'єрів для шляхів I і II є практично однаковими. Величини енергетичних бар'єрів для дифузії B-димерів Ge-Ge і Si-Si вздовж димерного ряду на поверхні Ge (001) становлять близько ~0,9 і ~0,95 еВ, відповідно.

Розглянуто узагальнене перетворення Мелера - Фока для розкладу довільної функції. Показано, що існує випадок, коли цей розклад містить один член, що відповідає дискретній гілці спектра. Для доведення застосовано аналітичний і числовий методи.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розв'язано граничну задачу взаємодії електромагнітного випромінювання з довільною структурою діелектричних пластин у хвилеводі. Одержані теоретичні результати експериментально перевірено для конкретних випадків періодичних структур, аналогів 1-D фотонних кристалів в оптиці. Показано, що заборонена зона ефективно змінюється за допомогою зміни геометричних розмірів структури. Це говорить про можливість застосування подібних одновимірних періодичних структур у хвилеводних пристроях і керування їх амплітудними та частотними характеристиками. Розв'язок більш загальної задачі дозволяє розраховувати характеристики електромагнітних полів у будь-якій точці хвилеводної діелектричної структури з наперед заданими параметрами.

За допомогою методів оптичної спектроскопії одержано радіальні профілі температури та електронної концентрації в плазмі електричної дуги між композиційними електродами на основі міді: Cu - W і Cu - Mo. У припущенні локальної термодинамічної рівноваги розраховано склад плазми електродугового розряду.

Створено експериментальну установку для дослідження просторового спектра дифрагованого світла у першому порядку брегівської дифракції. Для частотно-модульованого акустичного поля одержано експериментальні результати. Теоретично обгрунтовано одержані результати на базі існуючих методів аналізу сильної акустооптичної взаємодії.

Зазначено, що для використання в складі акустооптичних процесорів лазерні випромінювачі повинні задовольняти специфічним вимогам. Наведено оригінальні результати комплексних експериментальних досліджень напівпровідникових лазерних діодів, що містять спектральні дослідження в широкому діапазоні температур, вимірювання електрофізичних параметрів, а також просторового розподілу поля випромінювання. Встановлені кореляції виміряних характеристик дозволяють виробити практичні рекомендації з вибору лазерних джерел для розробки акустооптичних процесорів, що оброблюють НВЧ радіосигнали.

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.131

Рубрики:

Фотони (кванти) світла

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Доведено існування в сильній топології фазового простору неперервних за часом розв'язків для тривимірної системи Бенара.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Побудовано аналітичні локальні розв'язки двовимірних задач про течію Стокса у клині та півплощині. Виявлено суттєву різницю між двома розв'язками.

Запропоновано методику розшифровки стробоголографічних інтерферограм оболонок і лопаток ГТД за резонансних коливань. Розроблено оптичну схему, яка дозволяє реалізувати багатоголограмний метод за послідовної реєстрації інтерферограм.

Теоретично та експериментально розглянуто методи підвищення власної добротності резонатора поверхневої електромагнітної хвилі. Показано, що для збільшення власної добротності РПХ необхідно максимально віддалити його від стінок хвилеводу, а також застосовувати достатньо товсті діелектричні підкладки з високою діелектричною проникністю.