Мікронаконечники для розробки спін-поляризованої скануючої тунельної мікроскопії (СТМ) із GaAs виготовлено методом анізотропного мокрого витравлювання. Поверхню мікронаконечника пасивовано атомами S для стримання поверхневих станів. Виявилось можливим детектування змін тунельного струму для намагнічених тонких плівок Ni, обумовлених напрямком обертання циркулярного поляризованого світла, висвітлюючого наконечники з GaAs. Сигнал відгуку на поляризацію залежить від орієнтації намагнічування нікелевого зразка та від напруги зміщення на наконечнику. Зроблено спробу візуалізації сигналів відгуку та виявлено можливість спін-поляризованої СТМ з використанням мікронаконечника із GaAs з оптичною накачкою.