Запропоновано модель, яка якісно, а в ряді випадків і досить добре кількісно, описує всю сукупність наявних експериментальних результатів з дефектоутворення у Кремнії під час його імплантації легкими іонами. На відміну від уже існуючих моделей, вона враховує процеси дисоціації складних дефектів. У межах припущення про існування приповерхневого поглинаючого шару для вакансій за допомогою теорії груп Лі отримано вирази для просторових розподілів стаціонарних концентрацій вторинних дефектів. Промодельовано поведінку нестаціонарної системи складних дефектів у Кремнії відповідто до концентрації вакансійних пасток, густини іонного струму й енергії імплантованих атомів.