Електростатичне екранування зарядженого поглинаючого об'єкта (пилової частинки) у беззіткненій плазмі з потоком досліджено на базі лінеаризованого кінетичного рівняння для іонів плазми з врахуванням їх поглинання точковим об'єктом. Досліджено вплив поглинання іонів на притягувальну частину (ПЧ) розподілу потенціалу пилової частинки в плазмі. Для дотеплових іонних потоків ПЧ потенціалу частинки в напрямі перпендикулярному потоку іонів може бути суттєво послабленою або повністю зникнути, залежно від швидкості поглинання (пропорційної площі поверхні частинки). Для надтеплових іонних потоків показано, що вплив поглинання на ПЧ потенціалу частинки в напрямку перпендикулярному потоку іонів є експоненціально малим. Зроблено висновок, що у випадку надтеплового потоку іонів плазми відносно частинки впливом поглинання на розподіл потенціалу частинки у плазмі можна знехтувати для розмірів частинок, що характерні для комплексних плазм.

У квазікласичному наближенні проаналізовано вплив квантового тунелювання на струм акреції електронів плазми на від'ємно заряджену частинку, занурену в електронну плазму, для різних функцій розподілу електронів у плазмі, параметрів плазми та розмірів частинок. Показано, що внесок квантового тунелювання в зарядку частинок є нехтовно малим для відносно великих (мікронних розмірів) пилових частинок у плазмі з температурою електронів порядку декількох еВ, але стає значним для наночастинок (діаметром в десятки - сотні нм) у холодних та ультрахолодних плазмах із температурою електронів десятки - сотні градусів Кельвіна, особливо у плазмах з малозаселеним високоенергетичним хвостом розподілу електронів за енергією.