Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Sheremeta M$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
||||
| 1. | Sheremeta M. M. On a convergence of formal power series under a special condition on the Gelfond - Leont'ev derivatives = Про збіжність формальних степеневих рядів за спеціальної умови на похідні Гельфонда - Леонтьєва / M. M. Sheremeta, O. A. Volokh // Журн. мат. физики, анализа, геометрии. - 2007. - 3, № 2. - С. 241-252. - Библиогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14648 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Sheremeta M. M. Geometric properties of analytic solutions of differential equations / M. M. Sheremeta; Ivan Franko nat. univ. of Lviv. - Lviv : Chyzhykov I.E., 2019. - 164 c. - Бібліогр.: с. 160-164 - англ.
Шифр НБУВ: ІВ226393 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Bovgyra O. V. First principles DFT + U calculations of the electronic properties of ZnO/GaN heterostructure = Розрахунки з перших принципів електронних властивостей гетероструктур на основі ZnO/GaN / O. V. Bovgyra, M. V. Kovalenko, V. Ye. Dzikovskyi, A. P. Vaskiv, M. Ya. Sheremeta // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 5. - С. 05003-1-05003-6. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Гетероструктури на основі ZnO/GaN є перспективними матеріалами для сонячних елементів, світлодіодів та фотокаталітичних пристроїв завдяки ширині забороненої зони базових сполук, з яких сформована гетероструктура, що відповідає довжині видимого світла, і привертають значну увагу дослідників протягом останніх десяти років. В даному дослідженні представлено результати розрахунків з перших принципів, в межах теорії функціонала густини, структурних та електронних властивостей об'ємних кристалів ZnO, GaN, а також гетероструктури на їх основі. З метою точнішого опису електронних властивостей досліджуваних об'єктів використано наближення узагальненого градієнта з поправками Габбарда (GGA + U). Одержані результати розрахунків для об'ємних кристалів ZnO та GaN показують відмінне узгодження експериментальних даних з результатами проведених теоретичних розрахунків щодо енергетичного положення основних смуг в кристалах, розміщення яких є визначальним для точного визначення усередненого електростатичного потенціалу. Розрахунки параметрів гратки з використанням методу GGA + U показують відхилення від експериментальних даних в межах 0,5 %, що підтверджує надійність цього методу. Також слід відмітити не лише точність одержаних результатів, а й низьку ресурсозатратність цього методу в порівнянні з, наприклад, гібридними методами. Оптимізацію структури й електронні властивості гетероструктури ZnO/GaN розраховано тим самим методом, що й для об'ємних кристалів. На основі одержаної зонної діаграми гетеропереходу визначено відносні розриви електронних зон гетероструктури ZnO/GaN. Проведений аналіз одержаних результатів показує відмінне узгодження з даними експериментів і попередніх теоретичних розрахунків. Таким чином, одержано високоефективний метод розрахунку відносних розривів електронних зон гетероструктури ZnO/GaN, який надає високу точність за раціональної ресурсозатратності. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03 + В377 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Sheremeta M. M. Hadamard compositions of Gelfond - Leont'ev derivatives of analytic functions / M. M. Sheremeta, O. M. Mulyava // Укр. мат. вісн. - 2020. - 17, № 2. - С. 234-255. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24749 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського