Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Samsonenko S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Samsonenko S. N. 
Structure and stress state of polycrystalline diamond films on tungsten and silicon / S. N. Samsonenko, N. D. Samsonenko, Z. I. Kolupaeva, A. A. Koz'ma // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 664-667. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г582

Рубрики:
 Поверхневі шари та їх властивості 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Samsonenko S. N. 
Texturing of CVD diamond films / S. N. Samsonenko, N. D. Samsonenko, Z. I. Kolupaeva // Functional Materials. - 2003. - 10, № 2. - С. 261-265. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В375.144

Рубрики:
 Тонкі шари твердих тіл 
 Ріст кристалів із пари. Випаровування (сублімація) твердих тіл, кристалів 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Samsonenko S. N. 
Internal structure parameters and synthesis conditions of polycrystalline diamond films / S. N. Samsonenko, N. D. Samsonenko, Z. I. Kolupaeva // Functional Materials. - 2007. - 14, № 2. - С. 212-217. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Досліджено залежність параметрів полікристалічних алмазних плівок відносно їх товщини, яка є функцією тривалості синтезу за заданої температури підкладок (температури синтезу). Встановлено, що за температури 1073 K і тиску газової суміші 10,6 і 21,3 кПа розміри блоків і мікровикривлення плівок зменшуються, густина дислокацій майже не змінюється у разі переходу від синтезу "тонких" (4 - 6 мкм) плівок до "товстих" (10 - 12 мкм). За температури 1173 K і тих самих умов тиску газової суміші збільшення товщини плівок призводить до зменшення розміру блоків і до збільшення мікровикривлень. Густина дислокацій збільшується. Ці два режими синтезу полікристалічних алмазних плівок є перспективними для дослідження процесів формування електронних властивостей полікристалічних алмазних плівок, оскільки дислокації є джерелом створення електрично активних центрів в алмазних матеріалах.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + Л436.8

Рубрики:
 Тонкі шари твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського