Поверхневу структуру полікристалічного і монокристалічного хрому вивчено з використанням магнітосилової мікроскопії, скануючої тунельної мікроскопії та спектральної еліпсометрії. Наявність магнітного наноструктурування на поверхні полікристалічного хрому пояснено орієнтацією спінів атомів. Проведено числові квантовомеханічні обчислення та порівняння з експериментально одержаними залежностями оптичної провідності монокристалічного хрому.

Si crystal surface after chemical etching was studied using ellipsometry, atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The ellipsometric parameters as functions of light incidence angles at two light wavelengths 546,1 and 296,7 nm were measured. The calculations based on equations for the plane surface have shown that the refractive index and absorption coefficient values are different from those determined earlier. Two models for surface layers were developed. After etching, the upper layer contains chemical compounds and the lower layer characterizes the sample roughness. By applying Airy's formula to ellipsometric data, optical constants and thicknesses of the layers were obtained. The calculated values of bulk Si optical constants wholly correspond to the data from literature. The calculated thickness of the lower layer is similar to that obtained through scanning tunneling microscopy measurements. Calculations based on Maxwell - Garnett and Bruggeman equations were performed to determine the content of silicon particles within the lower rough layer.

Рішення стаціонарного рівняння Шредінгера у параксіальному наближенні одержано для де-Бройлівської хвилі електрону. Співвідношення надає змогу одержувати точне рішення для просторового розподілу скануючої тунельної мікроскопії (СТМ) за вимірів нанооб'єктів на металевій поверхні. Проведено СТМ експерименти з металевими та напівпровідниковими вуглецевими нанотрубками для підтвердження теоретичної моделі. Просторова роздільна здатність під час вимірів досягала 0,06 нм. Виміряно гексагональну структуру поверхні напівпровідникової нанотрубки. Одержано порівняно більш низьку просторову роздільну здатність для металевої вуглецевої нанотрубки, яка розрізнялась у повздовжньому та поперечному напрямках. Ефект пояснено у межах теоретичної моделі. Як результат даного теоретичного підходу одержано базисне співвідношення просторового розподілу СТМ для довільного нанооб'єкта.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.213 + В379.24

Рубрики:

Тубулярні і цибулинні графени

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ