Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Pagava T$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Pagava T. A. 
Oscillatory dependence of electron Hall mobility on the annealing temperature for irradiated silicon = Осциляційна залежність холлівської рухливості електронів від температури відпалу в опроміненому кремнії / T. A. Pagava, L. S. Chkhartishvili // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 10. - С. 1006-1008. - Библиогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Pagava T. A. 
Influence of the charge state of nonequilibrium vacancies on the formation and annealing kinetics of radiation-induced defects in InD-Si crystals = Вплив зарядового стану нерівноважних вакансій на кінетику утворення та відпалу радіаційних дефектів у кристалах InD-Si / T. A. Pagava, E. R. Kutelia, N. I. Maisuradze, B. G. Eristavi, L. S. Chkhartishvili // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 477-482. - Библиогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:
 Вакансії і домішки 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Pagava T. A. 
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated IBnD-Si crystals / T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Maisuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 8. - С. 773-779. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.274

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 
 Гальваномагнітні явища в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Pagava T. 
Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon / T. Pagava, L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, R. Esiava, Sh. Dekanosidze, M. Beridze, N. Mamisashvili // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2015. - № 4/5. - С. 52-58. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського