Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The thermal resistance of these structures has been calculated to obtain the temperature of conducting channel heating from the current-voltage characteristics. The differences in the obtained temperature data from applied techniques have been analyzed.

Досліджено теоретичні підходи та практичні особливості впливу соціальної політики на розвиток медичного страхування в Україні. Проведено аналіз показників основних видів добровільного медичного страхування, виявлено основні проблеми інноваційного розвитку медичного страхування в Україні. Наведено функціональні ознаки та характеристики альтернативних моделей функціонування системи охорони здоров'я.

Досліджено теоретичні підходи та практичні особливості інституційного розвитку ринку соціальних інвестицій в Україні. Проведено аналіз сучасного стану соціального інвестування в Україні, виявлено основні проблеми розвитку соціальних інвестицій в Україні. Запропоновано концептуальну модель єдиного фонду соціального інвестування, який слугує основою для розвитку соціально орієнтованих інвестицій шляхом інтеграції зусиль всіх його суб'єктів. Обгрунтовано, що єдиний фонд соціального інвестування має стати одним з основних інфраструктурних елементів ринку соціальних інвестицій, який за допомогою свого функціонального та ресурсного складу зможе узгодити та скоординувати дії суб'єктів у сфері соціального інвестування, залучити нові ресурси для реалізації соціальних проектів.

Досліджено властивості електронного транспорту у транзисторних гетероструктурах AlGaN/GaN з нанодротами різної ширини. Такі структури широко вивчаються для застосування в електронній біосенсориці завдяки їх електронним та сенсорним перевагам. Досліджено явище збіднення та вплив ультрафіолетового збудження на електронний транспорт у наборах нанодротів різної ширини від 1110 до 185 нм. Виявлено значну відмінність у поведінці електричної характеристики між широкими (1110 - 480 нм) та вузькими (280 - 185 нм) нанодротами та спостережено області, що відповідають транспорту, обмеженому просторовим зарядом у випадку найтонших нанодротів. Також одержано явну залежність вольтамперної характеристики нанодротів від довжини хвилі та енергії УФ збудження. Зовнішнє УФ збудження надає змогу керувати шириною збідненої зони у нанодротах і, таким чином, оперативно налаштовувати транспорт, обмежений просторовим зарядом.