Проаналізовано шляхи розвитку і сучасний стан досліджень з фізики поверхні в Україні. Наведено результати, отримані науковцями України стосовно атомної структури поверхонь та адсорбованих плівок, фазових переходів, хемосорбції газів, фізичних основ електронно-спектроскопічних досліджень поверхонь.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г582

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372.23

Рубрики:

Морфологія кристалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано новий оригінальний пристрій нанопозиціонування для застосування у скануючій зондовій мікроскопії. Пристрій складається з 4-х п'єзоелектричних приводів лінійного переміщення, що механічно комбінуються в переміщення зонду скануючого мікроскопу уздовж 3-х ортогональних осей у просторі. Така система є надкомпактною, сумісною із надвисоковакуумним обладнанням та не містить компонентів високої вартості. Попереднє тестування проводилося в скаунючому тунельному мікроскопі на поверхнях графіту (0001) у повітряному середовищі та германію (111) у надвисоковакуумному середовищі.

Реконструйована поверхня Ge(111) може легко переходити з основного стану з суперкоміркою c(2 x 8) у збурений стан 2 x 2 внаслідок близькості їх значень поверхневої вільної енергії. Ці дві реконструкції поверхні германію є достатньо вичерпно вивченими в попередніх роботах, проте нові структурні особливості можна знайти на межах між доменами c(2 x 8) і 2 x 2 із різноманітними орієнтаціями та латеральними зсувами. Наведено результати досліджень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії та запропоновано атомні моделі лінійних ланцюжків комірок 2 x 2 або c(2 x 8), а також адатомно-рестатомних групових вакансій, включаючи кутові ями з аналогічною геометрією як у випадку поверхні Si(111)-7 x 7.