Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Motsnyi F$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 12 Представлено документи з 1 до 12 |
||||
| 1. | Lisitsa M. P. Interlayer excitons: experiment and theory = Міжшарові екситони: експеримент і теорія / M. P. Lisitsa, F. V. Motsnyi, O. S. Zinets // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 8. - С. 810-816. - Библиогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Dorogan V. G. Spin-polarized electrons in the electronics of the future (A review) = Спін-поляризовані електрони в електроніці майбутнього (Огляд) / V. G. Dorogan, F. V. Motsnyi // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 12. - С. 1174-1187. - Библиогр.: 136 назв. - англ. В огляді проаналізовано експериментальні та теоретичні досягнення в новій області науки - спінтроніці. Розглянуто явище оптичної орієнтації спінів, спінову релаксацію, ефект Ханле, явища гігантського та тунельного магнітоопорів, проблеми інжекції спінів, спін-поляризований транспорт, прилади на базі спін-поляризованих електронів, основи квантових комп'ютерів, перспективні матеріали для спінтроніки. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.34 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Machulin V. F. Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in CsV3DBiV2DIV9D layered crystals / V. F. Machulin, F. V. Motsnyi, E. Yu. Peresh, O. M. Smolanka, G. S. Svechnikov // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 12. - С. 1283-1286. - Библиогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Motsnyi F. V. Peculiarities of exciton and EPR spectra of 2H-PbIV2D layered crystals with high concentration of Mn impurity = Особливості екситонних і ЕПР-спектрів шаруватих кристалів 2H-PbIV2D з високою концентрацією домішок марганцю / F. V. Motsnyi, V. G. Dorogan, Z. D. Kovalyuk, S. M. Okulov // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 5. - С. 483-486. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Motsnyi F. V. Peculiarities of exciton-phonon interaction in layered ferroelastic crystals (CsVB3DBiVB2DIVB9D) = Особливості екситон-фононної взаємодії в шаруватих сегнетоеластичних кристалах (CsV3DBiV2DIV9D) / F. V. Motsnyi, E. Yu. Peresh, O. M. Smolanka // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 5. - С. 451-454. - Библиогр.: 17 назв. - англ. Уперше виявлено новий фізичний ефект - зміну екситон-фононної взаємодії від слабкої до сильної в одному і тому ж зразку з підвищенням температури. Цей ефект пояснено на базі моделі, що враховує перебудову кристалічної гратки від нешаруватої до шаруватої. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7 + В372.314.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Kudryavtsev O. O. Saddle point excitonic resonances in BiIsub3/sub layered single crystals / O. O. Kudryavtsev, M. P. Lisitsa, F. V. Motsnyi, S. V. Virko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 19-22. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Dorogan V. G. Analysis of the exciton reflection spectrum of 2H-PbIV2D layered single crystals with atomically clean surface / V. G. Dorogan, V. O. Zhydkov, F. V. Motsnyi, O. M. Smolanka // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 346-348. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Dorogan V. G. Influence of Mn and Cr impurities on quasi-surface exciton states of BiIV3D layered single crystals / V. G. Dorogan, V. O. Zhydkov, F. V. Motsnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 417-419. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Budzulyak I. M. Study of supercapacitors with a double electrical layer based on activated carbon materials / I. M. Budzulyak, Z. D. Kovalyuk, F. V. Motsnyi, V. B. Orletskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 76-77. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Запропоновано екологічно чисту технологію для отримання активованого вуглецю, на базі якого виготовлено конденсатори надвисокої ємності. Вивчено характеристики цих конденсаторів. Проведено порівняння одержаних характеристик з аналогічними на базі екологічно шкідливих матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: З264.6 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Motsnyi F. V. Emission recombination in BiIV3D (Mn) and BiIV3D (Cr) layered single crystals / F. V. Motsnyi, V. G. Dorogan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 380-383. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Motsnyi F. V. Phase transition in CsV3DBiV2DIV9D ferroelastic: investigation by Raman scattering technique / F. V. Motsnyi, M. V. Vuychik, O. M. Smolanka, E. Yu. Peresh // Functional Materials. - 2005. - 12, № 3. - С. 491-496. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Girnyk I. Phase Coexistence in $Eroman bold {Cs sub 3 Bi sub 2 I sub 9 } Ferroelastics: Optical, Dilatation and Ultrasonic Velocity Studies / I. Girnyk, O. Krupych, I. Martunyuk-Lototska, F. Motsnyi, R. Vlokh // Ukr. J. Phys. Optics. - 2003. - 4, № 4. - С. 165-169. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського