Periodic structures arising in a near-surface GaAs layer irradiated by ruby laser were found by metallographic method. Such structures can be obtained from suspended particles or heterogeneities of surface relief. Interference maxima and minima of radiation generate thermo-elastic stresses and stretching on chip surface, owing to which point defects are redistributed and defect-deformation near-surface structures are formed. The effect observed can be used to control directionally the properties of semiconductors near-surface layers.

Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки).

Виконано порівняльний аналіз зображень дислокацій у монокристалічному Ge, одержаних за допомогою методів оптичної та сканувальної електронної мікроскопії. Результати обох методів добре узгоджуються між собою. За відсутності домішкової атмосфери ямка травлення або пляма зображення на дислокації мають діаметр ~1 мкм. Шляхом утворення електричного поля на поверхні можна досягти поляризації області просторового заряду навколо дислокації, а під час сканування цієї області електронним пучком - появи контрасту. Останнє дає можливість виділити дислокації за низькотемпературної деформації серед нейтральних домішкових включень у кристалі.

За допомогою методу сіток розраховано термопружні напруження на поверхні GaAs, що виникають у процесі неруйнівного лазерного опромінювання з дифракційною просторовою модуляцією інтенсивності від непрозорого екрана з прямокутним вирізом. З використанням оптичного методу досліджено структуру опромінених приповерхневих шарів кристалів. Пошаровим хімічним травленням виявлено періодичні острівцеві структури, що утворені внаслідок дифузійного перерозподілу дефектів.