Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Mokrynskaya E$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | Mokrynskaya E. V. Synthesis and sensitization of naphtalene-contained oligomers for photothermoplastic information recording / E. V. Mokrynskaya, Yu. P. Getmanchuk, N. I. Sokolov, A. V. Poperenko // Functional Materials. - 2000. - 7, № 3. - С. 492-494. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Kuzmin R. N. Two types of coronaelektrets discharge characteristics / R. N. Kuzmin, E. V. Mokrynskaya // Functional Materials. - 2005. - 12, № 2. - С. 391-395. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Вивчено фоторозрядні характеристики короноелектретів. Запропоновано просту модель релаксації фотопровідних короноелектретів. Ця модель заснована на припущенні про формування внутрішньої протиерс. Одержано вираз для геометричного параметра, що описує протиерс. На підставі експериментальних даних розраховано електропольові й товщинні залежності часу життя вільних носіїв заряду. Підтверджено, що у багатих структурними дефектами кристалах антрацену транспорт дірок обумовлений їх рухом уздовж небазисних крайових дислокацій. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського