Індекс рубрикатора НБУВ: Р458.14-29

Шифр НБУВ: Ж26813 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На конкретних прикладах розглянуто можливість визначення рівноважної форми кристала з аналізу його скелетних і дендритних форм. Показано, що незалежно від типу хімічного зв'язку, кристалам притаманні загальні закономірності побудови рівноважної, скелетної та дендритної форм, які визначаються анізотропією швидкості росту. В різних кристалах діаграма швидкості росту відносно структурного елемента має максимальні значення у напрямах порожнин гратки. Таким чином, анізотропія швидкості росту відповідає розташуванню порожнин гратки в оточенні її структурного елемента (атома, іона або молекули). Виходячи з цього, припущено, що анізотропія притаманна структурному елементу гратки. Виявлену відповідність можна використати як допоміжний критерій для визначення рівноважних форм.

Показано, що зношування сапфіру стиранням істотно залежить від його кристалічної структури. У випадку обробки вільним абразивом різниця у зношуванні становить від 1,1 до 2,1 разів, а за умов обробки закріпленим абразивом - від 1,1 до 2,9 разів.

Досліджено способи вирощування сапфірових виробів змінного перерізу з розплаву за допомогою методу Степанова. Вивчено вплив способу вирощування на розподіл пор у тиглях. Запропоновано спосіб одержання чохлів і тиглів з оптично прозорим дном.

Розглянуто особливості нормального механізму росту кристалів. Проаналізовано умови, що забезпечують постійну шорсткість фронту кристалізації та високі швидкості росту. Запропоновано метод вирощування кристалів з розчинів або з розчинів у розплавах за нормальним механізмом.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.9 + В375.147

Рубрики:

Коштовне і напівкоштовне каміння

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив вуглецевого середовища кристалізації на характер та особливості утворювання інофазних включень в Ti-сапфірі. Встановлено, що ці кристали можуть містити: мікронні (МВ) (2 - 17 мкм) і субмікронні (СМВ) (менше 70 нм) включення. Показано, що МВ є порами та мають характерне ограновування. На підставі аналізу індикатриси оптичного розсіювання досліджено форму й орієнтацію СМВ у Ti-сапфірі. Запропоновано механізм формування СМВ, які є зародками пор та утворюються в твердій фазі в процесі фазового переходу на фронті кристалізації як результат пересичення кристалічної решітки аніонними вакансіями. Встановлено, що ці дефекти руйнуються в результаті високотемпературної термообробки кристалів під дією одновісних стискаючих напруг.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К233.102 + К233.202

Рубрики:

Кристалічна будова алюмінію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати вивчення змочування основних кристалографічних поверхонь сапфіру водою та гліцерином. Використано метод вимірювання крайового кута краплі, що перебуває у стані спокою. Показано, що залежно від функції поверхні сапфіру, варіюючи кристалографічну орієнтацію, є можливим одержання як максимального, так і мінімального змочування.

Представлено результати вивчення впливу таких технологічних факторів як середовище відпалу та механічна обробка на міцність сапфіру. Визначення межі міцності у разі чотириточкового згинання проведено відповідно до європейського стандарту EN 843-1:1995 за схемою Four-point-1/4-point flexure. Показано, що високотемпературний відпал у різних середовищах, визначаючи стехіометричний склад, впливає на механічні характеристики сапфіру.

Індекс рубрикатора НБУВ: К722.3

Рубрики:

Виробництво металургійного устаткування

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто проблеми одержання кристалів корунду змінного перетину за допомогою методу Степанова. Досліджено структурну досконалість зони зміни профілю кристала від технологічних параметрів зростання. Розроблено спосіб вирощування сапфірових профілів змінного перетину оптичної якості.

Досліджено механічну міцність сапфіру у різних кристалографічних напрямках в широкому діапазоні навантажень. Установлено зв'язок опору високошвидкісному удару з кристалографією сапфіру.

Зазначено, що за тисячоліття використання рубіну та сапфіру у різних культурах назви кристалів змінювались. Однак мінералогічні назви повинні відноситися до строго визначених об'єктів.

Визначено складові випромінювання, що виводиться крізь футерівку металургійних печей імерсійними циліндричними сапфіровими світловодами. Доведено вплив режимів вирощування та експлуатації світловодів на їх ефективне пропускання.

Індекс рубрикатора НБУВ: К233.102

Рубрики:

Кристалічна будова алюмінію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ