Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35

Рубрики:

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто головні особливості амплітудних і фазових спектрів пропускання/відбивання декількох модельних напівпровідникових структур, у тому числі діелектричну підкладку, тонкий провідний шар, розміщений між двома діелектричними середовищами, тонкий провідний шар, розміщений на діелектричній підкладці, і гібридну плазмонну структуру з тонким провідним каналом під металевою граткою. Аналіз було здійснено з використанням аналітичних виразів, одержаних у результаті розв'язків рівнянь Максвелла при нормальному падінні плоскої електромагнітної хвилі. Показано, що специфічна поведінка амплітудних та фазових спектрів у ТГц діапазоні може бути використана для визначення базових параметрів 2D-електронного газу, включаючи концентрацію вільних електронів та їх рухливість, у межах експериментальних методик ТГц спектроскопії з розділенням у часі. Авторами запропоновано ефективний фазовий модулятор ТГц випромінювання з електричним контролем робочих параметрів, що грунтується на ефекті 2D-плазмонного резонансу в гібридних плазмонних структурах зі просторово-модульованим профілем концентрації у тонкому провідному шарі.