Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Litovchenko P$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 24 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Litovchenko P. G. Semiconductor detectors with converters for measurement of a neutron flux = Напівпровідникові детектори з конверторами для вимірювання нейтронних потоків / P. G. Litovchenko, L. I. Barabash, T. I. Kibkalo, V. F. Lastovetski, A. P. Litovchenko, L. A. Polivtsev, W. Wahl // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 8. - С. 904-907. - Библиогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Litovchenko P. G. Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons = Напівпровідникові сенсори для дозиметрії епітермальних нейтронів / P. G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L. I. Barabash, T. I. Kibkalo, V. F. Lastovetsky, A. P. Litovchenko, M. B. Pinkovska // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 90-91. - Библиогр.: 4 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Kаrpenko А. Ya. Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs / А. Ya. Kаrpenko, P. G. Litovchenko, О. N. Shevtsova, V. I. Sugakov, G. A. Vikhlii // Физика низ. температур. - 2003. - 29, № 7. - С. 740-743. - Библиогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Litovchenko P. G. Effect of high-temperature treatment on the processes of oxygen precipitation and magnetic properties of monocrystalline Si irradiated by neutrons / P. G. Litovchenko, O. P. Litovchenko, Yu. V. Pavlovsky, V. M. Tsmots, V. V. Petrenko, V. V. Lishniansky // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2004. - Вып. 13. - С. 95-97. - Библиогр.: 4 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Konoreva O. V. Degradation-relaxation processes stimulated by structural defects in green gallium-phosphide light-emitting diodes = Деградаційно-релаксаційні процеси у зелених фосфідо-галієвих світлодіодах, зумовлені дефектами структури / O. V. Konoreva, P. G. Litovchenko, V. Ya. Opylat, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 11-12. - С. 1119-1124. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Dolgolenko A. P. Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in IBnD-Si (FZ, Cz) = Концентрація дефектів у кластерах, утворених швидкими нейтронами реактора в InD-Si (FZ, Cz) / A. P. Dolgolenko, G. P. Gaidar, P. G. Litovchenko // Ядер. фізика та енергетика. - 2007. - № 4. - С. 89-93. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Tsmots V. M. Impact of pre-irradiation on the magnetic susceptibility of Cz - Si thermally treated at 700 - 1000 $E bold symbol РC = Вплив попереднього опромінення на магнітну сприйнятливість Cz - Si, термообробленого при 700 - 1000 $E symbol РC / V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, O. P. Litovchenko, I. S. Pankiv, M. M. Luchkevych // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2009. - № 3. - С. 66-69. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Litovchenko P. G. Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide / P. G. Litovchenko, W. Wahl, A. A. Groza, A. P. Dolgolenko, A. Y. Karpenko, V. I. Khivrygh, O. P. Litovchenko, V. F. Lastovetsky, V. I. Sugakov, V. K. Dubovuy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 85-90. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Радіаційна стійкість напівпровідникових детекторів на основі кремнію, передусім, визначається швидкістю видалення точкових дефектів і скупчень кластерів дефектів. Тому введення електрично неактивної домішки кисню стимулює відведення потоку вакансій від легуючої домішки фосфору. Таким чином, навіть за умови більшого радіуса захоплення вакансій атомом фосфору, висока концентрація кисню пригнічує формування E-центрів. Використання методу трансмутаційного легування дозволяє отримати кремній підвищеної радіаційної стійкості. Попереднє опромінення нейтронами або зарядженими частинками з наступним відпалом також дозволяє підвищити його радіаційну стійкість. Це пов'язано з введенням до складу зазначеного зразка стоків для первинних радіаційних дефектів, що й обумовлює його підвищену радіаційну стійкість. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Kudin A. P. Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide / A. P. Kudin, V. I. Kuts, P. G. Litovchenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 156-158. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Groza A. A. Influence of the neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A. A. Groza, E. F. Venger, V. I. Varnina, R. Yu. Holiney, P. G. Litovchenko, L. A. Matveeva, A. P. Litovchenko, M. I. Starchik, V. I. Sugakov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 152-155. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Dolgolenko A. P. Influence of growing and doping methods on radiation hardness of InD-Si irradiated by fast-pile neutrons / A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko, M. D. Varentsov, V. F. Lastovetsky, G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 8-15. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Baranskyy P. I. Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 $E bold symbol РC on the Hall effect and magnetoresistance / P. I. Baranskyy, G. P. Gaydar, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 3. - С. 231-234. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Kanevsky S. O. Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics / S. O. Kanevsky, P. G. Litovchenko, V. Ja. Opilat, V. P. Tartachnyk, M. B. Pinkovs'ka, O. M. Shakhov, V. M. Shapar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 499-504. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Dolgolenko A. P. Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of IBpD-Si by fast-pile neutrons / A. P. Dolgolenko, M. D. Varentsov, G. P. Gaidar, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 9-14. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Dolgolenko A. P. The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium / A. P. Dolgolenko, G. P. Gaidar, M. D. Varentsov, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 1. - С. 4-12. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Litovchenko P. Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures / P. Litovchenko, A. Litovchenko, O. Konoreva, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 276-279. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Hontaruk O. Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 30-35. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Dolgolenko A. P. Seebeck's effect in IBpD-SiGe whisker samples / A. P. Dolgolenko, A. A. Druzhinin, A. Ya. Karpenko, S. I. Nichkalo, I. P. Ostrovsky, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 456-460. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Gaidar G. P. The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 213-221. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Dubovyi V. K. Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V. K. Dubovyi, S. O. Kanevsky, P. G. Litovchenko, V. Ya. Opilat, V. P. Tartachnik // Functional Materials. - 2005. - 12, № 3. - С. 587-590. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського