Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Kruger D$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Romanyuk B.  
Mechanisms of silicon amorphization at the ultrasound action during ion implantation = Механізми аморфізації кремнію при дії ультразвуку під час іонної імплантації / B. Romanyuk, D. Kruger, V. Melnik, V. Popov, E. Borshchagovski, Ya. Olikh, V. Soroka // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 191-195. - Библиогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3

Рубрики:
 Фізика діелектриків 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Kruger D.  
Planar gettering of metal impurities in MBE grown Si and SiGe layers on Si substrates = Планарне гетерування домішок металів у шарах Si та SiGe, вирощених методом МПЕ на підкладках Si / D. Kruger, V. G. Litovchenko, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, H. Richter // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 873-878. - Библиогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К209.1

Рубрики:
 Вплив опромінювання на структуру і властивості металів і сплавів 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Melnik V. 
AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation / V. Melnik, V. Popov, D. Kruger, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 81-85. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + В372.6 + К235.160.26

Рубрики:
 Структурний аналіз твердих тіл 
 Тонкі шари твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського