Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kozyrev Yu$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
||||
| 1. | Kozyrev Yu. Foto-EMF peculiarities of Ge nanocluster structures formed on oxidized Si surface = Особливості фотоерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si / Yu. Kozyrev, M. Rubezhanska, N. Storozhuk, S. Kondratenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2011. - 2, № 4. - С. 399-402. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Melnichuk Ye. Ye. Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface / Ye. Ye. Melnichuk, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, V. S. Lysenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4. - С. 331-335. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that electron transitions from the ground state of the valence band in a quantum dot to the conduction band of Si surrounding make the main contribution into monopolar photoconductivity below the fundamental absorption edge of crystalline Si. Photoexcited holes were found to be localized in Ge nanoislands inducing the lateral conductivity changes in the near-surface depletion layer of p-Si substrate due to the field-effect. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.271.42 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Lysenko V. S. The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures = Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Ye. Ye. Melnichuk, M. I. Terebinska, O. I. Tkachuk, Yu. N. Kozyrev, V. V. Lobanov // Поверхня : міжвід. зб. наук. пр. - 2015. - Вип. 7. - С. 285-296. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Iliash S. A. Relaxation of photovoltage in ITO - Ge - Si heterojunction with Ge nanostructured thin films / S. A. Iliash, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, V. S. Lysenko, Yu. M. Kozyrev, V. V. Lendel // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 259-261. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. The paper focuses on experimental study of the photovoltage time decay in ITO - Ge - Si heterojunction with Ge nanostructured thin film. Kinetics under 650 nm excitation within the temperature range 80 to 290 K are successfully described by a single exponential function with temperature-dependent decay constants. Photovoltage relaxation is modeled taking into account the hopping nature of electron transport in the band of localized states. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Nepijko S. A. Investigation of nanostructure phase composition and field emission properties in the Ge/Si(100) system / S. A. Nepijko, A. A. Sapozhnik, A. G. Naumovets, Yu. N. Kozyrev, M. Klimenkov, S. I. Protsenko, L. V. Odnodvorets, I. Yu. Protsenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 4 (ч. 2). - С. 04067-1-04067-4. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського