Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kosyachenko L$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||||
| 1. | Kosyachenko L. A. Compensated impurity conductivity of single crystals $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te} = Компенсована домішкова провідність монокристалів $E {roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te / L. A. Kosyachenko, Z. I. Zakharuk, A. V. Markov, O. L. Maslyanchuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 6. - С. 573-578. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Kosyachenko L. A. Limiting efficiency of solar cells based on $E bold {{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te} (IxD = 0,8) = Гранична ефективність сонячних елементів на основі $E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te (IxD = 0,8) / L. A. Kosyachenko, V. V. Kulchynsky, S. Yu. Paranchych, V. M. Sklyarchuk, S. G. Guminetsky // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2006. - Вып. 15. - С. 31-34. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Kosyachenko L. A. Optical characteristics of HgV3DInV2DTeV6D as a material for 1,55-$E mum photodiodes = Оптичні характеристики HgV3DInV2DTeV6D як матеріалу для фотодіодів на 1,55 мкм / L. A. Kosyachenko, I. I. German, S. Yu. Paranchych, S. G. Guminetsky // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 11-12. - С. 1048-1053. - Библиогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Kosyachenko L. A. Characterization of Hgsub1-x/subMnsubx/subTe single crystals and Hgsub1-x/subMnsubx/subTe photodiodes / L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, O. O. Bodnaruk, V. M. Frasunyak, V. M. Sklyarchuk, Ye. F. Sklyarchuk, Sun. Sun Weiguo, Lu Zheng. Lu Zheng Xiong // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 31-36. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Kosyachenko L. A. Studies of CdHgTe as a material for IxD- and $E bold gamma-ray detectors / L. A. Kosyachenko, V. V. Kulchynsky, O. L. Maslyanchuk, S. Yu. Paranchych, V. M. Sklyarchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 227-232. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Kosyachenko L. A. Active region of CdTe X-/$E bold gamma-ray detector with Schottky diode / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 45-50. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. It has been shown from the Poisson equation that the presence of deep levels in the semiconductor bandgap influences in a complicated manner upon distribution of the space charge, potential and electrical fields in the Schottky diode. Under high reverse bias, however, the diode characteristics become standard. To achieve semi-insulating conductivity in CdTe, it is impossible to widen considerably the depleted layer in the diode. Therefore, the region of the high electric field is only a small part of the substrate thickness. Too small capacitance value and its weak dependence on the bias voltage observed in the Schottky diode made of semi-insulating CdTe are a result of the effect of the substrate resistance and the wide space-charge region in the diode. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Grushko E. V. Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure / E. V. Grushko, O. L. Maslyanchuk, X. Mathew, V. V. Motushchuk, L. A. Kosyachenko, E. A. Streltsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 15-20. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. A study of the Au/CdTe Schottky diodes fabricated by vacuum evaporation of a semitransparent Au layer over an electrodeposited CdTe thin film is reported. The theoretical model of the photocurrent spectra for an Au/CdTe Schottky diode based on the continuity equation and incorporating the surface recombination losses does not explain the measured spectra in the entire range of wavelengths, particularly the above-mentioned decay in the short-wavelength region. The satisfactory description of the measured spectra is achieved by proposing a model, in which the surface recombination along with the Schottky effect resulted in the presence of a dead layer in the space-charge region is taken into account. By varying the parameters such as uncompensated carrier concentration and carrier lifetime, the above model can explain the actual photoresponse spectra. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Kosyachenko L. A. Energy band gap and electrical conductivity of CdVIB1-xDMnVIBxDTe alloys with different manganese content / L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk, N. S. Yurtsenyuk, Z. I. Zakharuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 421-426. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського