Описано новий механізм дифузії, складений з одночасної дії вакансій Шоттки та нестійких пар точкових дефектів.

Розглянуто вплив зон абсолютної рекомбінації та абсолютного витіснення взаємодіючих дефектів гратки. Показано, що відштовхування дефектів, так само, як їх притягання, призводить до зменшення асимптотичної концентрації радіаційних дефектів у разі великих доз опромінення і до зростання радіаційної стійкості матеріалів за малих доз. Показано, що відхилення від стехіометрії у двокомпонентних кристалах значно впливають на радіаційну стійкість, а добір термодинамічних параметрів синтезу кристалів дозволяє регулювати кількість радіаційних дефектів, зокрема, забезпечувати можливість підвищення радіаційної стійкості стосовно дефектів в обох підгратках.

Вперше досліджено процес утворення рівноважних інтеркаляційних сполук на основі неорганічного кристалa шаруватої структури при входженні органічних молекул у міжшарові проміжки. З використанням техніки рентгенографічного аналізу in situ показано, що утворення рівноважної інтеркаляційної фази протікає через низку послідовних структурно-хімічних перетворень. Проміжні стани являють собою низку різних довгоперіодичних структур. У процесі інтеркаляції початкова текстурована плівка шаруватого кристала диспергується, утворюючи фрагменти лускоподібної форми з характерними розмірами у кілька десятків ангстрем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.6

Рубрики:

Дифузія, самодифузія і внутрішнє тертя (в'язкість) в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г562.138

Рубрики:

Кристалізація з розчинів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості утворення подвійних і потрійних комплексів дефектів у напівпровіднику ZnSe(D), де D - домішки телуру, сірки та кисню, що заміщають Se в аніонній підгратці. Показано, що пружні та електростатичні взаємодії дефектів діють симбатно, але найбільший внесок роблять останні. Показано, що на відміну від випадку легування телуром, домішки сірки та кисню призводять до формування не комплексів D вакансія цинку, а комплексів D міжвузельний цинк. Комплекси з трьома дефектами у всіх системах однакові, але розташування вакансій, міжвузельних атомів цинку і домішок різне.

Вивчено мікроскопічні механізми ізовалентного легування ZnSe телуром. Показано, що залежно від напрямку розрізу в потрійній системі, за яким здійснюється легування, за малих концентрацій телуру механізми розчинення є різними. У випадку легування за розрізом ZnSe - Te та наявності відхилень від стехіометрії у бік надлишку селену переважають подвійні комплекси Te-вакансія цинку. У разі легування за розрізом ZnSe - ZnTe переважають потрійні комплекси Te-вакансія Zn-Zn у міжвузловині. За сумірних концентрацій ZnSe і ZnTe механізм розчинення переходить до класичного заміщення без утворення комплексів.