Інтегральний та диференційний профілі енергій пасток у фталоціанінах міді досліджено з використанням методу модульованих фотострумів. Вимірювання виконано на зразку та паралельними електродами. Густину пасток визначено двома способами. З'ясовано, що залежно від передісторії зразка, диференційних профіль пасток є експоненційним з характеристичною температурою 520 К, або подвійним експоненційним з характеристичними температурами 350 та 580 К. Вигляд інтегрального профіля передбачає складну температурну залежність часу рекомбінації носіїв.

The integral and differential energetic profiles of traps in evaporated copper phthalocyanine have been investigated by modulated photocurrents technique. The measurements have been performed on the sample with coplanar electrodes. The density of trapping states has been determined using two methods of data analysis. It has been found that, depending on the treatment, the differential profile of traps is exponential with characteristic temperature of 520 K, or double-exponential with characteristic temperatures of 350 K and 580 K. The course of integral trap profile suggests distinct temperature dependence of the carrier recombination time.

Теоретично досліджено термостимульовані струми (ТСС) у невпорядкованих твердих тілах, що виникають під час покрокового нагрівання. Розвинуто метод Гобрехта - Гофмана для випадку перезахоплення носіїв. Проаналізовано результати експериментальних вимірювань ТСС для зразків із компланарними електродами та електродами типу "сандвіч". З'ясовано, що головним чинником, який обмежує ТСС, є, відповідно, рекомбінація носіїв (моно- чи бімолекулярна) або їх нейтралізація на електроді. Для обох випадків одержано співвідношення, що дозволяють визначити енергетичний внесок пасток у разі посилення ТСС під час послідовних циклів нагрівання. Достовірність одержаних співвідношень оцінено на підставі аналізу ТСС кривих, розрахованих для експоненційного внеску пасток.