Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Groza A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Litovchenko P. G. 
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide / P. G. Litovchenko, W. Wahl, A. A. Groza, A. P. Dolgolenko, A. Y. Karpenko, V. I. Khivrygh, O. P. Litovchenko, V. F. Lastovetsky, V. I. Sugakov, V. K. Dubovuy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 85-90. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Радіаційна стійкість напівпровідникових детекторів на основі кремнію, передусім, визначається швидкістю видалення точкових дефектів і скупчень кластерів дефектів. Тому введення електрично неактивної домішки кисню стимулює відведення потоку вакансій від легуючої домішки фосфору. Таким чином, навіть за умови більшого радіуса захоплення вакансій атомом фосфору, висока концентрація кисню пригнічує формування E-центрів. Використання методу трансмутаційного легування дозволяє отримати кремній підвищеної радіаційної стійкості. Попереднє опромінення нейтронами або зарядженими частинками з наступним відпалом також дозволяє підвищити його радіаційну стійкість. Це пов'язано з введенням до складу зазначеного зразка стоків для первинних радіаційних дефектів, що й обумовлює його підвищену радіаційну стійкість.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:
 Кремній та його сполуки 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Groza A. A. 
Influence of the neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A. A. Groza, E. F. Venger, V. I. Varnina, R. Yu. Holiney, P. G. Litovchenko, L. A. Matveeva, A. P. Litovchenko, M. I. Starchik, V. I. Sugakov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 152-155. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського