Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Glinchuk K$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
|||
| 1. | Glinchuk K. D. Analysis of luminescence method applicability for determination of CdVI1-xDZnVIxDTe composition / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 121-128. - Бібліогр.: 34 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Glinchuk K. D. Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors / K. D. Glinchuk, A. V. Prokhorovich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 353-361. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Наведено вирази для інтенсивностей смуг у близькокрайовому спектрі люмінесценції напівпровідників, що містять як ізольовані, так і зв'язані дрібні акцептори та донори. Визначено умови, в ході виконання яких вони вносять відносно невеликий або домінуючий внесок у близькокрайові смуги люмінесценції. Показано (на основі аналізу близькокрайового спектру люмінесценції напівізолюючого GaAs), що в напівпровідниках досить вірогідні випадки, коли інтенсивності близькокрайових смуг люмінесценції у них визначаються різними станами (ізольований чи зв'язаний) дрібних акцепторів і донорів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Glinchuk K. D. Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 274-277. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Glinchuk K. D. On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 441-443. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 5. | Glinchuk K. D. Analysis of luminescence method for determination of $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te} composition / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, A. V. Prokhorovich, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 39-44. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 6. | Glinchuk K. D. On determination of Cdsub1-x/subZnsubx/subTe composition from an analysis of the 4,2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra / K. D. Glinchuk, V. P. Maslov, O. M. Strilchuk, A. B. Lyapina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 3. - С. 305-313. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського