Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Gamov D$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
||||
| 1. | Gamov D. Influence of $E bold roman Al sup + and $E bold roman Ti sup + implantation on radiating properties of the nanocluster structures = Вплив імплантації $E roman Al sup + та $E roman Ti sup + на люмінесцентні властивості нанокластерних структур / D. Gamov, O. Oberemok, V. Popov, I. Hatshevych // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 40-43. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Gamov D. Influence of nitrogen impurity on photoluminescence of silicon nanoclusters in SiOVB2D matrix = Вплив домішки азоту на фотолюмінесценцію кремнієвих нанокластерів в матриці SiOV2D / D. Gamov, I. Khatsevich, V. Litovchenko, V. Melnik, O. Oberemok, V. Popov, B. Romanyuk, V. Yukhimchuk // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 4. - С. 413-417. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Oberemok O. S. Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers / O. S. Oberemok, V. G. Litovchenko, D. V. Gamov, V. G. Popov, V. P. Melnik, O. Yo. Gudymenko, V. A. Nikirin, I. M. Khatsevich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 269-272. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Gamov D. V. Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions / D. V. Gamov, O. I. Gudymenko, V. P. Kladko, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9. - С. 881-887. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Valakh M. Ya. Strain relaxation in thin $E bold {{roman Si} sub 1-x-y {roman Ge} sub x {roman C} sub y} layers on Si substrates / M. Ya. Valakh, D. V. Gamov, V. M. Dzhagan, O. S. Lytvyn, V. P. Melnik, B. M. Romanjuk, V. G. Popov, V. O. Yukhymchuk // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1. - С. 79-84. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського