Вивчено вплив самопоглинання та стану поверхні на спектр власної фотолюмінесценції на прикладі прямозонного напівпровідника GaAs. Одержано формулу впливу самопоглинання на спектр фотолюмінесценції напівпровідника. Враховано поглинання збуджувального світла та люмінесценції у речовині, а також дифузію носіїв та їх безвипромінювальні втрати на поверхні зразка. На підставі розрахунків показано, що внаслідок самопоглинання спектр власної фотолюмінесценції зсувається у довгохвильову область. Стан поверхні зразка практично не впливає на розміщення максимуму спектральної кривої, змінюється лише загальна інтенсивність фотолюмінесценції.