За допомогою гіпоциклоїдального електронного спектрометра відповідно до розроблених методик проведено дослідження пружного відбивання на 180° та спектрів енергетичних втрат повільних (0 - 5 еВ) моноенергетичних електронів поверхнею Si-p(100). Знайдено чітку кореляцію енергетичних положень особливостей пружного відбивання та спектрів енергетичних втрат. Поєднання досліджень такого роду в одному експерименті дало змогу одержати інформацію про можливі міжзонні переходи та про збудження поверхневих електронних станів у твердих тілах.