Для кінетичної моделі рентгенолюмінесценції відпрацьовано систему розрахунку кінетики середньостатистичного просторового розподілу носіїв заряду за центрами запасання та рекомбінації. За умов рентгенівського збудження кристалофосфорів створюється суттєва просторова неоднорідність генерації електронних збуджень (екситонів та вільних носіїв заряду), що обумовлює подальшу просторову неоднорідність розподілу носіїв за різними центрами. Одержана система розрахунку носіїв за різними центрами дозволяє визначити всі параметри сцинтиляційного процесу та фосфоресценції. Встановлено, що на форму сцинтиляційного імпульсу найбільше впливають ті пастки, для яких імовірність термічної делокалізації є близькою до ймовірності спонтанного переходу збудженого центра свічення. На загасання фосфоресценції найбільше впливає просторовий взаєморозподіл локалізованих носіїв різних знаків. Установлено, що розсіювання вільних носіїв заряду на дефектах кристалічної гратки суттєво не змінює середньостатистичні просторові розподіли носіїв за центрами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4 + В381.531

Рубрики:

Кристалізація

Сцинтилятори для лічильників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано модель рекомбінаційного центру свічення, на якому можуть реалізовуватися одночасно два протилежних механізми рекомбінації - електронний і дірковий. Такий центр свічення, напевно, спостерігається у кристалах ZnSe і зумовлює широку смугу з максимумом за 1,9 eV (630 нм). Виконано порівняння деяких характеристик цього центру із характеристиками центру свічення, який є точковим дефектом і зумовлює смугу свічення з максимумом за 1,28 eV (970 нм). Показано, що зовнішнє електричне поле і температура по-різному впливають на інтенсивності та спектральні положення максимумів цих смуг.

Спектри люмінесценції високоомних кристалів ZnSe складаються з двох основних смуг з максимумами за 630 нм (1,92 еВ) і 970 нм (1,28 еВ). Проведено порівняння спектрів рентгенолюмінесценції і фотолюмінесценції ZnSe між собою в спектральної області від 400 до 1200 нм за різних інтенсивностей збудження і за різних температур (8, 85, 295 і 420 К). Встановлено, що форми смуг свічення не залежать від інтенсивностей збудження. Форма смуги з максимумом за 970 нм також не залежить від типу збудження, а смуга 630 нм - трохи відрізняється за рентгенівського і УФ-збудження. Проаналізовано температурні спектральні положення максимумів смуг і їх півширини. Зроблено висновок про елементарності смуги світіння 970 нм. Короткохвильове зміщення спектрального максимуму смуги 630 нм у разі збільшення температури надає змогу зробити висновок про неелементарність цієї смуги світіння. Це корелює з раніше виявленою особливістю цієї смуги про реалізацію двох механізмів рекомбінації (електронному та дірковому) на цьому центрі світіння.