Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Dahlal Z$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Dahlal Z. Deep impact of the n-c-Si defect density on heterojunction with intrinsic thin layer solar cells = Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром / Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W. L. Rahal // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 6. - С. 06001-1-06001-4. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Dahlal Z. Comparative study of the influence of mu c-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H and mu c-SiOsubx/sub as a passivation layer on the performance of HIT n-c-Si solar cells = Порівняльне дослідження впливу mu c-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та mu c-SiOsubx/sub як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si / Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W. L. Rahal // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 6. - С. 06002-1-06002-4. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|