Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Впервые показана возможность разработки и создания устойчивой относительно дестабилизирующих факторов функциональной оптической схемы лазерной гетеродинной установки для исследования амплитудных и фазовых полей поверхностных акустических волн (ПАВ). Установка выполнена не отдельными оптическими элементами, а собрана из двух узлов - узла зонда и узла фотоприемника с минимальным количеством элементов. Это дало возможность уменьшить ошибку при проведении амплитудных и фазовых измерений, поскольку установка обеспечивает высокую чувствительность к малым амплитудам ПАВ и хорошую воспроизводимость результатов. Приводится оптическая схема, изложен принцип действия установки, представлены результаты некоторых исследований.

Теоретичні та експериментальні дослідження просторового розподілу електричного потенціалу в тонких кристалічних пластинках селеніду цинку і кварцу є частиною загального підходу щодо при вивчення індукованих неоднорідним нагрівом полярних станів у широкому класі матеріалів, в тому числі в тих, що не належать до полярних кристалографічних класів. Розроблено оригінальні принципи побудови нового класу піроелектричних сенсорів прохідної потужності випромінювання з максимально досяжною верхньою границею динамічного діапазону для моніторингу інтенсивного випромінювання в широкій ІЧ області.